Рентген сәулелерінің затпен әрекеттесуінің физикасы

Ірі кристалды жартылай өткізгіштердің наноқұрылымға ауысуы тиым салынған зона енінің артуымен жүреді: өткізгіштік зонасындағы төменгі рұқсат етілген деңгейі жоғарылайды, ал жоғары энергетикалық деңгей төмендейді. Мысалы, егер қарапайым үлкен дәнекті кадмий селенидінің тиым салынған зонасы 1,8эВ құраса, өлшемдері 3,0-3,5 және 1,0-1,2нм болатын нанобөлшектерде бұл сипаттамалар 2,3 пен 3,0эВдейін артады және соның нәтижесінде оптикалық және басқа қасиеттері түрленеді. 10.2-суретте жұтылу спектрлері мен жұтылу жолақтарының максималды энергияларының нанокристалдар радиусына тәуелділігі көрсетілген. Бұл тәуелділіктен кристалл өлшемі азайған сайын, жұтылу жолақтары E1/R жаңдылығына сәйкес жоғары энергиялар аумағына ығысады. Осылайша, үлкен кристалды жартылай өткізгіштермен салыстырғанда, жартылай өткізгіш наноматериалдардың электрондық қасиеттеріне түрлендіру мүмкіндіг жоғары екендігін көруге болады.

Ірі кристалды жартылай өткізгіштердің наноқұрылымға ауысуы тиым салынған зона енінің артуымен жүреді: өткізгіштік зонасындағы төменгі рұқсат етілген деңгейі жоғарылайды, ал жоғары энергетикалық деңгей төмендейді. Мысалы, егер қарапайым үлкен дәнекті кадмий селенидінің тиым салынған зонасы 1,8эВ құраса, өлшемдері 3,0-3,5 және 1,0-1,2нм болатын нанобөлшектерде бұл сипаттамалар 2,3 пен 3,0эВдейін артады және соның нәтижесінде оптикалық және басқа қасиеттері түрленеді. 10.2-суретте жұтылу спектрлері мен жұтылу жолақтарының максималды энергияларының нанокристалдар радиусына тәуелділігі көрсетілген. Бұл тәуелділіктен кристалл өлшемі азайған сайын, жұтылу жолақтары E1/R жаңдылығына сәйкес жоғары энергиялар аумағына ығысады. Осылайша, үлкен кристалды жартылай өткізгіштермен салыстырғанда, жартылай өткізгіш наноматериалдардың электрондық қасиеттеріне түрлендіру мүмкіндіг жоғары екендігін көруге болады.

Жұтылу спектрлері мен жұтылу жолақтарының максималды энергияларының нанокристалдар радиусына тәуелділігі

Құрылымдық ерекшеліктері мен электрондық құрылыс көміртекті және басқа да нанотүтікшелер үшін анықталады. БҚКНТ жағадйында зоналық құрылымның теориялық есепте,улері мен тәжірибелік зерттеулер нәтижелері зигзагтәрізді нанотүтікшелер металл тәрізді өткізгіштік, ал барлық спираль тәрізді (хиральді) нанотүтікшелер жартылай өткізгіштік қасиеттер көрсететіні анықталған.