Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці



бет9/19
Дата01.11.2022
өлшемі171 Kb.
#156046
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   19
Байланысты:
розділ 2

Переваги ROM(M):

  1. Низька вартість при масовому виробництві;

  2. Висока швидкість доступу до комірки пам’яті;

  3. Висока надійність;

  4. Стійкість до електромагнітних полів.

Недоліки ROM(M):

  1. Неможливість перезапису;

  2. Складний виробничий цикл (до 8 тижнів).

В сучасних комп’ютерах такий тип пам’яті вже не використовують.


2.7.1.2. В PROM (англ.: Programmable RОМ - програмована пам’ять тільки для читання) як і в ROM інформація може бути записана один раз. Відмінність мікросхем пам’яті PROM від ROM в тому, що PROM випускаються чистими, а в ROM інформація закладається вже при виготовленні. Для запису інформації в PROM використовують програматор. В такій пам’яті масив комірок пам’яті є набором плавких перемичок. Деякі з цього набору під час запису плавляться при пропусканні через них великого струму від програматора, а деякі залишаються цілими. Вони відіграють роль логічних „0” і „1”. Замкнутому стану провідника можна присвоїти значення логічного нуля, а розімкнутому – логічної одиниці.
Пам’ять РROM практично вийшла з ужитку наприкінці 1980-их років.
Переваги PROM:

  1. Висока надійність;

  2. Стійкість до електромагнітних полів;

  3. Можливість програмувати готову мікросхему, це зручно для штучного виробництва;

  4. Висока швидкість доступу до комірки пам’яті.

Недоліки PROM:

  1. Неможливість перезапису;

  2. Необхідність у спеціальному тривалому термічному тренуванні, без якого надійність зберігання даних невисока.



2.7.1.3. EPROM (англ.: Erasable PRОМ - програмована пам’ять тільки для читання з можливістю стирання) – це спеціальний вид PROM з можливістю стирання даних ультрафіолетовим випромінюванням через кварцове вікно в корпусі мікросхеми. Після стирання EPROM може бути перепрограмована. Електронна схема EPROM ідентична PROM. Дані зберігаються в вигляді заряду на плаваючих затворах МОН-транзисторів з лавинною інжекцією заряду (фактично, на обкладках конденсатора з дуже низьким стіканням заряду).
Стирання приводить всі біти області в один стан (частіше у одиниці, рідше –нулі). Запис також здійснюється на програматорах, але вони відрізняються від програматорів PROM. В даний час EPROM майже повністю витіснені EEPRОM і Flash.


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   19




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет