Технические науки
жүктеу/скачать 8,18 Mb.
|
|
Рассмотрим главные кристаллографические направления -   ||[001], J||[100], H|| [1 0], J||[110], J||[111].
На рис.1-а,б,с приведены результаты измерения магнетосопротивления на образцах кремния n-типа (легированных фосфором) с удельным сопротивлением  , вырезанных из одного и того же кристалла вдоль направления [001] и [110]. Как видно на рисунках, при высоких температурах, также как и для H||[111], наблюдается насыщение магнетосопротивления, тогда как с понижением температуры насыщение не наблюдается, зависимость  характеризуется заметным изгибом на кривых магнетосопротивления. Следует отметить, что с понижением температуры зависимость  от Н становится все более сильной, хотя и остаётся близкой к прямолинейной (с понижением температуры увеличивается наклон прямой). По-видимому, такое поведение магнетосопротивления обусловлено влиянием квантования энергического спектра электронов.
жүктеу/скачать 8,18 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|