Величина насыщения магнетосопротивления зависит от анизотропии изоэнергетических поверхностей и энергетической зависимости времени релаксации. Поэтому по величине насыщения магнетосопротивления можно определить параметр анизотропии .
Рисунок 1 - Зависимость поперечного магнетосопротивления от напряженности магнитного поля для кремния n-типа () при температуре Т(К): 1-77,4; 2-102; 3-150; 4-204; 5-273; 6-300.
.
) при температуре Т(К): 1-77,4; 2-102; 3-150; 4-204; 5-273; 6-300.