Тлеющий разряд

4 
– изучить возможность повышения скорости осаждения покрытий за счет распыле-
ния ионами аргона с энергией 1–3 кэВ мишени на дне полого катода; 
– изучить возможность повышения скорости осаждения покрытий с помощью не-
однородного магнитного поля в области мишени; 
– разработать образцы источников совмещенных потоков медленных атомов ме-
талла и быстрых молекул газа; 
– экспериментально подтвердить преимущества разработанных источников при 
осаждении покрытий на диэлектрические изделия с углублениями. 
Научная новизна
работы заключается в том, что: 
– впервые изучены параметры потока через эмиссионную сетку источника быстрых 
молекул газа атомов материала его полого катода, распыляемого ионами из плазмы 
тлеющего разряда;
– получены зависимости скорости осаждения распыленных атомов на подложках в 
рабочей вакуумной камере от катодного падения и тока тлеющего разряда, а также от 
энергии сопровождающих их до подложки быстрых молекул газа;
– показано, что предварительная бомбардировка стеклянной подложки атомами ар-
гона с энергией 1 кэВ и выше обеспечивает адгезию осаждаемой на ней медной пленки 
5

10
6
– 10
7
Па, а импульсно-периодическая бомбардировка такими атомами растущей 
пленки увеличивает адгезию еще в несколько раз; 
–доказано, что перекрытие потока атомов металла через центр эмиссионной сетки 
обеспечивает высокую однородность толщины покрытия на подложке с диаметром, со-
измеримым с диаметром сетки, и высокую адгезию покрытия на всей поверхности под-
ложки;
– установлено, что в неоднородном магнитном поле с линиями, проходящими че-
рез центральную зону установленной на дне полого катода мишени и пересекающими 
сетку, полый катод и периферию самой мишени, при магнитной индукции на границе 
мишени 1 мТл концентрация плазмы вблизи нее становится в 2 раза выше, чем вблизи 
эмиссионной сетки, доля распыляющих мишень ионов возрастает от 12% в отсутствие 
поля до 25% при неизменной неоднородности ее распыления ~ 15%;
– показано, что с увеличением магнитной индукции на границе мишени до 6 мТл 
длина пути до анода эмитированных ее поверхностью электронов возрастает благодаря 
образующейся магнитной ловушке с арочной конфигурацией линий. Это позволяет сни-
зить давление газа до 0,1 Па и повысить до 56% поступающую на мишень долю образо-
ванных в разряде ионов, однородно распыляющих 85% ее поверхности. 

жүктеу/скачать 0,69 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: