«Төменде өте көп орын бар» 1959 жылдың 29 желтоқсанында физика ғылымы бойынша 1965 жылы «Элементарлы бөлшектер физикасында терең салдары болған кванттық электродинамикадағы фундаментальды жұмыстары»



бет82/131
Дата14.12.2021
өлшемі21,38 Mb.
#126635
1   ...   78   79   80   81   82   83   84   85   ...   131
Байланысты:
МФНСУРОВ НAНО негіздері

5.9-сурет. қаптамасының (8-15%) үлгі кеуектілігі 10% және температура Т=25 (1), 480 (2) К болған кездегі жылу өткізгіштіктің кристалиттер диаметріне тәуелділігі

Электрлік және жылу өткізгіштік параметрлерінің үйлесуі термоэлектрлік материалдар үшін маңызды. Олардың сапасы беріктілігімен сипатталатыны белгілі, мұндағы а-термоэққ; р - электрлік кедергісі; λ- жылуөткізгіштік. Зерттеу нәтижелері бойынша, наноматериалдарға ауысу беріктіліктің артуымен жүретіні анықталған. Алюминий, нихром, титан нитриді мысалында кристалдар өлшемдерінің кішіреюі, термо-эккнің артуы мен жылуөткізгіштіктің артуының әсерінен беріктіліктің артуына алып келетіні анықталған (5.2-кесте).

Нанообьектілердің өткізгіштігіне кванттық эффектілердің әсерін зерттеу нанодиодтар, нанотранзисторлар, наноөшіргіштер және т.б. сияқты құрылғылар жасауда маңызды рөл атқарады. Бұлардағы сымдар ұзындығы еркін жүріп өту ұзындығынан аз болуы, ал олардың қимасының диаметрі электронның де - Бройль толқын ұзындығынан аз болуы мүмкін.

5.2-кесте

Дәнек өлшемдері әртүрлі алюминий мен нихром үлгілері үшін электрлік кедергі, жылуөткізгіштік, термоэкк және беріктілік шамалары



Нанобөлшектер мен қабықшалардың оптикалық қасиеттерін ғалымдар көп уақыттан бері зерттеп келеді. Мысалы, әртүрлі факторларды (қабықша қалыңдығы, жарық түсу бұрышы, қабыкша қалыңдығының жарықтың толқын ұзындығына қатынасы) ескергендегі металл қабықшалардың жарықты шағылдыру, жұтылу және өткізу теориялары жақсы дамыған. Сонымен бірге, жартылай өткізгіш наноматериалдардың оптикалық және люминесценттік қасиеттері де жақсы зерттелген. Мысалы, кластерлі кремнийдің (нанокеуекті және нанокристалды) көрінетін спектр аумағындағы қарқынды люминесценция кластерлердегі өлшемдік квантталуға немесе беткі қабаттарда түзілген Si-H және Si-O-H типті байланыстардағы электрондық ауысуларға байланысты болуы мүмкін.





Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   78   79   80   81   82   83   84   85   ...   131




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет