1 Қазақстан республикасы білім және ғылым министрлігі
«ІЛИЯС МҰРАСЫ ЖӘНЕ АЛАШТАНУ МӘСЕЛЕЛЕРІ»
жүктеу/скачать 1,97 Mb. Pdf көрінісі
|
2-2018
| «ІЛИЯС МҰРАСЫ ЖӘНЕ АЛАШТАНУ МӘСЕЛЕЛЕРІ»
атты республикалық ғылыми-тәжірибелік студент жастар конференциясының материалдары 162 Cуpeт 1 – Тұpaқты тoктa мaгнeтpондық жiктeу жүйeciнiң cүлбeci. 1 – тoзaңдaту кaмepacы, 2 – төceнiштi ұcтaғыш, 3 – төceнiш, 4 – aнод, 5 – ныcaнa, 6– aнoдтың тeфлондық ұcтaғышы, 7 – мaгнит, 8 – гaз жiбepiлeтiн түтiкшe, 9 – тұpaқты тoқ көзi, 10 – copу түтiкшeci. Күн энергиясын электр энергиясына айналдыру экономикалық тұрғыдан өзекті мәселе болып табылады. Әсіресе көміртек легірленген аморфты кремнийден жасалған күн элементтерін энергетика саласында пайдалану жақсы жолға қойылған. Тәжірибеден алынып, зерттелетін а-Sі:С:H қабықшасы күн элементінің бір қабаты болып табылады, сондықтан осы қабықшаны зерттеудің маңызы зор. а-Sі:С:H қабықшасы тұрақты тоқтың күлгін разрядында кремний және көміртектен жасалған нысананы аргон және сутегі қоспасымен магнетрондық әдіс арқылы соқылай отырып алынатын атомдарды араластырып қыздырылған төсенішке орналастырылады. Тәжірибе ВУП-5 әмбебап камерасында орналасқан үш электродты магнетрондық жүйеде жасалынды. Кремний, шыны, кварц төсеніштерінің температурасы 1000С-3000С аралығында өзгертілді. Температура хромель-алюмель термопарасы арқылы өлшенді. Орналастыру процесіне қажетті қуат тұрақты токтың коректендіру көзінен берілді. Оның кернеуі 400-600 В тогы 20- 30 мА шамасына тең. Осының нәтижесінде күлгін разрядта алынған радикалдар (С, H, С-H, С-H2, С-H3,), (Si2-H2,Si-H,Si-H2,,Si-H3,) плазмада қосылып қыздырылған төсенішке орналастырылады. Қабықшалардың беттік құрылымы атомдық - күштік электрондық микроскопия арқылы зерттелді. Жоғары температурада орналастырылған a- Si:C:H қабықшаларының беті тегіс, ал төменгі температурада алынған қабықшаларда тік өскен діңгекті кеуек құрылым байқалады ( 1-сурет) а-Sі:С:H қабықшалардың негізгі құрылымдық және оптикалық қасиеттері рамандық спектрлік әдіспен зерттелді. a-Si:C:H қабықшасының комбинациялық шашырау спектрі 2-суретте көрсетілген. Бұл суреттегі 1100 см-1 шыңы (Si-C ) кремний мен көміртек байланысын сипаттаса , 1400 см-1 и 1600 см-1 сәйкес шыңдар (С-С) көміртек пен көміртек байланысын көрсетеді, 2100 см-1 әлсіз шың (Si-H) кремний мен сутек байланысын, 3000 см-1 маңындағы жалпақ шың С-Н көміртек пен сутек байланысын анықтайды. Соңғы екі шың a-Si:C:H қабықшасының аморфты екендігіне дәлел. 1-сурет 2 -сурет |