Өрістік және биполярлы транзисторлардың жұмыс жасау қағидасын

мен қабылдаудан тұрады. Жаппаның мақсаты-өріс транзисторы арқылы өтетін 
токты басқару. Осылайша біз катодпен, анодпен және басқару электродымен 
классикалық триодты аламыз. 
Жаппаға кернеу берілген кезде электр өрісі пайда болады, ол p-n 
түйіспелерінің ұзындығын өзгертеді және бастаудан құймаға өтетін ток 
мөлшеріне әсер етеді. Басқару кернеуі болмаған жағдайда, заряд 
тасымалдаушылардың ағынына ештеңе кедергі болмайды. Басқару кернеуінің 
жоғарылауымен электрондар немесе тесіктер қозғалатын арна тарылып, 
белгілі бір шекті мәнге жеткенде толығымен жабылады және өрістік 
транзистор кесу режиміне енеді. Бұл өріс транзисторларының қасиеті және 
оларды кілт ретінде пайдалануға мүмкіндік береді. 
Радио компоненттің күшейту қасиеттері жаппадан құймаға өтетін қуатты 
электр тогы бастауға қолданылатын кернеу динамикасын қайталайтындығына 
байланысты. Басқаша айтқанда, басқару электродындағыдай сигнал 
күшейткіштің шығуынан алынады, тек әлдеқайда күшті. 
Өріс транзисторларында жоғары кіріс және шығыс тұрақты ток кедергісі, 
төмен инерция және жоғары жиілік шектеулері бар. Өрістік транзисторлар 
байланыс құралдарында, есептеу техникасында, теледидарда үнсіз, қуатты 
және ауыспалы (кілт) ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-жартылай 
өткізгіш құрылымы бар өрістік транзисторлар интегралды схемаларда кеңінен 
қолданылады-әдеттегі өзара сипаттаманы және әдетте әлсіз сигнал үшін 
арнадағы транзисторлардың жалпы белгіленуіне қарама-қарсы. 
Осы сипаттамаға сәйкес, жаппаның ағып кету кернеуі теріс болған сайын ток 
ағыны біртіндеп азаятынын көруге болады. Белгілі бір мағынада ағып кету 
тогы нөлге дейін азаяды және құрылғы өшеді. 
Биполярлы транзистор N-және p-аймақтарының кезектесу тізбегіне 
байланысты n–p–n және p–n-p типті транзисторлар болып бөлінеді. Іс жүзінде 
транзисторлардың екі түрі де қолданылады; олардың жұмыс принципі бірдей. 
N–p-n-типті транзистордағы негізгі заряд тасымалдаушылар электрондар, ал 
p-n-p-транзистордағы тесіктер болып табылады. Кремнийде электрондар 
тесіктерге қарағанда көбірек қозғалғыштыққа ие болғандықтан, n–p–n типті 
транзисторлар жиі қолданылады. 
Алғашқы транзисторлар германийдан жасалынған болатын. Казіргі кезде 
оларды кремнийден және арсенад галлийдан жасайды.Соңғы жасалынып 
жатқан транзисторлар көбіне жоғары жиілікті күшейткіш схемаларда 
қолданылады.
Биполярлы транзистор база, эмиттер, колектордан тұрады. Эмиттер базаның 
ауысуы тікелей бағыт нәтижесінде негізгі зарядты өткізгіштер базаға түсіп ток 
жасайды. 
Эмиттер мен база аралығындағы р-n-өткелi эмиттерлiк деп, ал коллектор мен 
база арасындағы р-n-өткелi коллекторлық деп аталады. 

Транзисторда өтетiн процесстер және транзистордағы токтар. Сигналдарды 
күшейту үшiн транзистордың эмиттерлiк р-n-өткелi кернеуге тiкелей, ал 
коллекторлық өткелi кернеуге керi қосылады. Бұл жағдайда эмиттерлiк 
өткелдiң потенциалдық тосқауылы төмендеп, заряд тасымалдаушылар 
(кемтiктер) эмиттерлiк өткел арқылы базаға инжекция жасайды, ал базадағы 
электрондар эмиттерге қарай инжекция жасайды, осыдан эмиттер тогы пайда 
болады: Iэ=Iэр+Iэn. 
Эмитент пен коллекторды қуат көзіне қосқан кезде токтың өтуі үшін барлық 
дерлік жағдайлар жасалады. Бірақ заряд тасымалдаушылардың еркін 
қозғалуына база кедергі келтіреді және бұл кедергіні жою үшін оған кіріс 
кернеуі қолданылады. Жартылай өткізгіштің негізгі қабатында электронды 
тесік рекомбинациясының физика-химиялық процестері пайда болады, 
нәтижесінде база арқылы аз ток ағады. Нәтижесінде p-n ауысулары заряд 
тасымалдаушылардың эмиттерден коллекторға өтуіне жол ашады. 
Егер база арқылы өтетін ток қандай да бір заңға сәйкес өзгерсе, онда эмитент 
пен коллектор арасындағы қуатты ток бірдей өзгереді. Демек, біз биполярлық 
транзистордың шығысында базадағыдай сигнал аламыз, бірақ оның қуаты 
жоғары болады. Бұл биполярлық транзистордың күшейту функциясы деп 
аталады. 

жүктеу/скачать 0,68 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: