А., Абуова Ф. У. Конденсирленген күй физикасы астана 2011
жүктеу/скачать 17 Mb.
|
Пособие по ФКС каз.окон
| 6.3-сурет. Кристалдың жылжымалы деформациясы кезіндегі аймақтық дислокацияның туындауы мен орын ауыстыру сұлбасы
Бұрандалы дислокация. Бұрандалы дислокация 6.4-суретте қарапайым куб үшін көрсетілген, атомдардың ерекше орналасуымен сипатталады. Осы суретте А жарты жазықтығының сол жағында орналасқан атомдар орындарында қалған, ал оның оң жағындағы атомдар бір жазықтық арасы қашықтығына төмен ығысқан. Мұндағы В сызығының жанында үлкен деформация пайда болған. А жарты жазықтығының қыры арқылы өтетін В сызығын және қалған жарты жазықтықты бұрандалы дислокация деп атайды. 6.4-суретте (001) типіндегі горизонталь деформацияланған жазықтықта В сызығы бойынша айналу кезінде кристалдық тордың бір периодына көтерілуге болады, ал В сызығы бойынша бірнеше рет айналған кезде тордың бірнеше периодына көтерілуге болатындығы көрсетілген. Көтерілу бұрандалы автожол бойынша қозғалысқа ұқсас, осыдан бұрандалы дислокация ұғымы пайда болды. Бұрандалы дислокация жағдайында барлық (010) жазықтықтар өзімен өзі бола алмайды, олар өсі В болатын күрделі бір бұрандалы бетке бірігіп кетеді. 6.4-суретте көрсетілген бет В сызығын айнала сағат тілшесіне қарсы қозғалысы кезінде көтерілісті қамтамасыз етеді (егер жоғарыдан қараса). Мүмкін В сызығын айнала сағат тілшесімен қозғалған кездегі көтерілісті қамтамасыз ететін дәл сондай бет түзген шығар (ол үшін 6.4-суреттегі кристаллдың оң жағын төменге емес жоғары қарай ығыстыру керек еді). Сондықтан бұрандалы дислокация оң бұрандалы және сол бұрандалы болады.
6.4-суретте көрсетілген сызба бойынша бұрандалы дислокация кристалдың деформациясы кезінде пайда болады. {100} типіндегі жазықтықты қарапайым кубты тор жағдайында қарастырамыз. Егер кристалға күшімен әсер етсек (6.5-сурет (а)), онда бағытталған кесіндімен белгіленген орында А1 жазықтығы В сызығы бойынша "айырылады", одан кейін А1 жазықтығының жоғарғы және төменгі жартылары тордың 1 периодына жылжумен қосылады (6.5-сурет (б)). Егер кристалға әсер етуді жалғастырсақ, онда келесі жазықтық айырылады А2 жазықтығының үстіңгі және жоғарғы жартылары жылжумен қосылады (6.5-сурет (в)), және т.с.с. жалғаса береді. Осылайша, кристалда бұрандалы дислокация пайда болады, ол кристалға әсер еткенде жазықтықтардың көрші жартыларының қосылу-айырылуы арқасында сырғу жазықтығы бойынша жылжи береді. Жаңа жазықтықтың айырылуы дислокация сызығының бойында болатынын ескеру керек, өйкені онда кристалдық тордың бұрмалануы көбірек болады (6.5-суретке қара).
жүктеу/скачать 17 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|