Динамикалық жад немесе DRAM (ағылш. dynamic random access memory) — энергияға тәуелді оперативті жадының түрі.
Бұл жадтың сақтау ұяшықтары жартылай өткізгіштік микросхема элементтерінен құрастырылған конденсаторлар ретінде жасалған. Логикалық «1(> — қонденсатордың зарядталған, ал «0(> — зарядталмаган қалып-күйіне сойкес келеді. Тексергіш схема оқу операциясын орындаған кезде бүл конденсаторды өзінің үсті арқылы разряд жасайды: егер конденсатор зарядталған болса, онда тексеру схемасының шығысында «1)( мәні көрсетіледі. Уақыт өткен сайын (егер ұяшыққа қатынас құру болмаса), конденсатор разрядталады да, ондағы ақпарат жойылады. Сондықтан бұндай жад конденсаторларды түрақты зарядтап түруды қажет етеді. Динамикалық жадтардың түрлері: MDRAM, FPM, VRAM, EDO, BEDO, SpRAM, SGRAM, WRAM, RDRAM жөне т.б.[1]
Алгоритмнің негізгі қасиеттері.
Алгоритм қасиеттері Алгоритмнің айқын, дәл өрнектелу қасиеті. Алгоритмде келтірілген барлық әрекеттердің мағынасы айқын, нықты анықталған болу керек. Онда қандай қадам көрсетілсе тек солар ғана орындалуы қажет. Есеп шығаруға керектің бәрі анықталуы және орындаушыға түсінікті әрі нақты болуы тиіс.
Алгоритмнің үзіктілік қасиеті. Алгоритмнің үзік модульдерге бөлінуі, яғни алгоритмді бірнеше кішкене алгоритмдерге жіктеу мүмкін болу керек. Бұл қасиеті бойынша алгоритм аралық нәтиже беретіндей бірнеше ықшам бөліктерге, ал олар одан кіші қадамдарға бөлінеді, яғни мәселені шешу процесінің тізбегі жеке-жеке әрекеттер жіктеледі. Сондықтан алгоритмді, екі-үш бқлікке бөліп, оларды жеке қабылдай алатын дәрежеде жұмыс істелінуі қажет.
