Биполяр транзисторлары (BJT): Олар екі типті жартылай өткізгіш материалдан (N және P) тұрады. Биполяр транзистордың үш терминалы бар: эмиттер (E), база (B) және коллектор (C).
Полевой транзисторлар (FET): Олар электрлік өріс арқылы токты басқаруға негізделген. Олардың да үш терминалы бар: көз (S), құйрық (D) және зат (G).
Кернеу және ток: Транзистордың күшейту функциясы токтың және кернеудің өзара байланысына негізделген. База және эмиттер арасындағы ток (Ib) транзистордың коллектор мен эмиттер арасындағы токты (Ic) басқаруға мүмкіндік береді.
Токтың күшейтілуі: Транзистордың күшейту коэффициенті (β) транзистордың кіріс токына (Ib) байланысты коллектор токының (Ic) қаншалықты көбейетініне анықтайды. Формула:
Ic=β⋅IbIc = β \cdot IbIc=β⋅Ib
3. Күшейткіш схемасы
Транзистордың күшейткіш ретінде жұмыс істеу схемасы әдетте үш негізгі режимде жүзеге асырылады:
Кіріс сигналын қосу: Транзистордың база терминалына кішкентай AC сигнал (кіріс сигнал) беріледі.
Токтың басқару: База арқылы өткен ток (Ib) транзистордың коллектор мен эмиттер арасындағы токтың (Ic) басқарылады. Транзистордың активті режимі кезінде, Ic кіріс сигналымен пропорционал түрде өзгереді.
Шығыс сигналын алу: Коллектор терминалынан шыққан ток (Ic) үлкен қуатпен шығыс сигналын береді. Бұл сигнал кіріс сигналының күшейтілген нұсқасы болады.
4. Күшейткіш схемалардың түрлері
Транзисторды күшейткіш ретінде пайдаланудың бірнеше схемалық конфигурациялары бар:
Тізбектей конфигурация: Эмиттер, коллектор және база арқылы сигналдар тізбектей жалғанады. Бұл конфигурация кіріс сигналына максималды күшейту береді.
Параллель конфигурация: Транзисторлардың параллель жалғануы кіріс сигналын қуатты күшейтуге мүмкіндік береді.
