а. Жылжымайтын платформа кезінде шариктің бағананы бойлай және көлденең тербелісі нормаль болып табылады.
б. Платформаның бірқалыпты айналуы кезінде эллиптикалық тербелістер нормаль болып табылады. Кішкентай бұрыштық үдеу кезінде шардың тербелісі әр уақытта нормаль болып қалады.
в және г. Тербелістердің бірін қоздырамыз да (бағананы жағалай немесе көлденең) платформаны айналдыра бастаймыз. Платформаның баяу айналуы кезінде тербеліс жазықтығы платформаның қозғалысының артынан ереді, ал тербеліс сызықты болып қалады. Бұл кезде платформаның тоқтауынан кейін нәтижелеуші тербеліс платформаға байланысты бастапқымен сәйкес келеді. Іліну нүктесін вертикаль бойынша ауыстыра отырып, маятниктердің өздерінің жиіліктерінің айырмасымен │ω1-ω2│ салыстырғанда, айналу баяу өту тиіс екеніне көз жекіземіз. Айналу баяу емес те болуы мүмкін, егер бұрыштық үдеу аз болса (│ω12-ω22│-мен салыстырғанда). Бұл кезде де платформаның тоқтауынан кейін нәтижелеуші тербеліс бастапқымен сәйкес келеді, бірақ енді айналу кезінде маятник тербелісі эллиптикалық болып келеді. Бұл кезде шариктің платформа қозғалысының бағытымен қозғалысы бағанаға көлденең бастапқы қозғалысқа сәйкес келеді, ал шарактің платформа қозғалысының бағытына қарсы қозғалысы бағанаға жағалай бастапқы тербелістерге сәйкес келеді. Тапсырма 23. Транзистордың өткізгіштік типін анықтау(п–р–п немесе р–п–р) және база шығаруын табу. Эмиттер мен коллектордың шығаруын анықтау.
Құрал-жабдықтар: Миллиамперметр 50~-100 мА; мыс және цинк пластинкалар; қосқыш сымдар, маркалауы жоқ биполярлы транзистор; лимон.
Шешуі:
Биполярлы транзисторды екі бір-біріне қарама-қарсы қосылған диод ретінде қарастыруға болатыны белгілі (сурет 68, 69 ).
1. Лимонға тығылған цинк және мыс пластинкалардан, ЭҚК-і шамамен 1В болатын химиялық ток көзін аламыз.
