2.7. Инжекциялық лазер Бұл шалаөткізгіштік лазер – мұнда когерентті сәулеленудің генерленуіэлектронды-кемтіктік ауысу (р-𝚗-ауысу) арқылы заряд тасығыштарыныңинжекциясы нәтижесінде іске асады. р–ń-ауысуында лазер жасау мүмкіндігін1961 жылы болжап айтқан кеңес ғалымдары – Н. Г. Басов, О. Н. Крохин жәнеЮ. М. Попов, ал GaAs-та генерлеудің бірінші эксперименталдық эффектісіналған американдық физик – Р. Холл (1962).Инжекциялық [французша injecteur, латынша injicio – вбрасываю, түсіремін,тастап жіберемін; мысалы зарядталған бөлшекті үдеткішке енгізу немесе зарядтасығыштарын металл-шалаөткізгіш облысына түйісу немесе р-𝚗-ауысуыарқылы енгізу] лазердің маңыздырақ ажырататын ерекшеліктері: электрэнергиясын лазерлік сәулеленуге тікелей түрлендіру; жұмысшы (лазерлік)кванттық ауысулар өткізу аймағының және шалаөткізгіштің валенттікаймағының электрондары мен кемтіктері үшін шешілген энергетикалықдеңгейлері арасында өтеді.
