Конспект лекций для студентов специальности 190901 «Системы обеспечения движения поездов»


Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем



бет9/77
Дата30.01.2022
өлшемі5,1 Mb.
#116187
түріКонспект лекций
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   77
Байланысты:
Конспект лекций Электроника 2012

Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем

2.1. Полупроводниковые диоды


Полупроводниковый диод содержит только один p-n переход. Условное графическое обозначение полупроводникового диода и внешний вид некоторых типов полупроводниковых диодов представлен на рис. 2.1.





а)

б)

Рис. 2.1. Полупроводниковый диод:

а – условное графическое обозначение; б – внешний вид

1 – выпрямительный диод; 2 – фотодиод; 3 – СВЧ диод; 4 и 5 – диодные матрицы (сборки);

6 – импульсный диод. Корпуса диодов: 1 и 2 – металлостеклянные;

3 и 4 – металлокерамические; 5 – пластмассовый; 6 – стеклянный

Основными параметрами полупроводникового диода являются:

- средний прямой ток Iпр.ср;

- импульсный прямой ток Iпр.и;

- максимально допустимое обратное напряжение Uобр.макс.

Средний прямой ток – это максимально допустимая величина среднего (за период) значения прямого тока, длительно протекающего через диод. Iпр.ср существенно зависит от температуры и понижается с её ростом.

Импульсный прямой ток – это максимально допустимая амплитуда импульса прямого тока. В обязательном порядке учитывается при работе диода на активно-ёмкостную нагрузку.

Максимально допустимое обратное напряжение – это амплитудное значение обратного напряжения на диоде, при превышении которого может наступить электрический пробой.




Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   5   6   7   8   9   10   11   12   ...   77




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет