Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в ринц н Инновации. Наука. Образование
жүктеу/скачать 22,11 Mb. Pdf көрінісі
|
Номер 51 февраль 2022 года
| Грачев Александр Сергеевич
ФГБОУВО «Марийский государственный университет» ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ УРАВНЕНИЕ ДИФФУЗИОННОГО ТОКА ЧЕРЕЗ P-N- ПЕРЕХОД, СОЗДАЮЩЕЕ ВНУТРЕННЮЮ НАПРЯЖЕННОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ СВЕТОДИОДОВ Аннотация: В технике полупроводников явления, происходящие в переходном слое, хорошо рассмотрены. Выведены уравнения дрейфового и диффузного токов, рассмотрены процессы рекомбинации. В данной статье предлагается к выводу формул диффузного тока подойти с точки зрения другого математического аппарата теории диффузионного перехода основных зарядов в p-n-переходе полупроводников методом теории подобия. При рассмотрении многих вопросов природных явлений в различных областях знаний применяется принцип подобия, когда математический аппарат из одних областей исследований формально переносится на другие. В данной статье используется тот же подход, когда рассуждения из физики теплотехники переносятся на рассмотрение процессов, происходящих в p-n переходах полупроводников. Ключевые слова: диффузия, p-n переход, рекомбинация, закон Фурье, теории подобия. Keywords diffusion, p-n transition, recombination, Fourier's law, similarity theories. Из теории полупроводников хорошо известно, что диффузия (процесс распространения частиц из области с большей их концентрацией в область с меньшей концентрацией) электронов из п-области полупроводника в р-область и дырок из р- области в п-область полупроводника, является причиной появления диффузионного тока основных носителей, протекающего через границу полупроводниковых сред. В одномерном случае плотность этого диффузионного тока 𝑗 диф (в дальнейшем – тока) равна: 𝑗 диф = 𝑗 диф 𝑛 + 𝑗 диф 𝑝 = 𝑞 (𝐷 𝑛 𝑑𝑛 𝑑𝑥 − 𝐷 𝑝 𝑑𝑝 𝑑𝑥 ), (1) 903 Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в РИНЦ н жүктеу/скачать 22,11 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|