Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в ринц н Инновации. Наука. Образование
жүктеу/скачать 22,11 Mb. Pdf көрінісі
|
Номер 51 февраль 2022 года
| Инновации. Наука. Образование
В данной статье решение задач диффузионного перехода основных зарядов в p-n - переходе полупроводников методом теории подобия с явлениями теплопроводности, связано с определением поля температур и диффузионных потоков. Для установления зависимости между величинами, характеризующими явление диффузионный тока, воспользуемся методом математической физики, который рассматривает протекание физических процессов в произвольно выделенном из всего рассматриваемого пространства элементарном объеме и в течение бесконечно малого промежутка времени. Это позволяет пренебречь изменением некоторых величин и существенно упростить выкладки. При выводе дифференциального уравнения диффузии через p-n -переход светодиода считаем, что коэффициенты диффузии электронов и дырок D n и D p , 𝑗 диф - плотности дырочной и электронной составляющих диффузионного тока, заряды q постоянны, внутренние источники теплоты равномерно распределены в теле. Под внутренними источниками теплоты понимаются тепловыделения, например, при прохождении диффузионного тока основных зарядов в p-n -переходе полупроводников. В основу вывода положен закон сохранения количества заряда, согласно которому весь заряд у металлургической границы полупроводника dQ за время dτ , идет на изменение внутренней напряженности электрического поля dЕ , приложенного к объему p- n -перехода: 𝑑𝑄 𝑥 = 𝑑𝐸 𝑥 ∙ 𝑑𝑥 , где 𝑑𝑥 - элементарная длина p -n -перехода. (4) Выделим в p-n -переходе элементарный параллелепипед с ребрами dx, dy, dz (рис.1). Количество заряда, пусть дырок, который проходит путем теплопроводности внутрь выделенного объема в направлении оси ОX через элементарную площадку dy·dz за единицу времени dτ определится как (5): 905 Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в РИНЦ н жүктеу/скачать 22,11 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|