г) RRAM (resistive random access memory – резистивна пам’ять з довільним доступом). Інколи пам’ять RRAM називають пам’яттю організованою на мемрісторі. Символьно мемрістор позначається на схемах (див. рис. 2.56):
За принципом дії RRAM подібна до PCRAM, тільки замість зміни фазового стану під дією тепла тут використовується електрохімічна реакція. Матеріалом для резистивної пам’яті є непровідний для струму оксид, наприклад, SrTiO3 (позначається - STO) або SrZrO3 (SZO).
Завдяки прикладеній високій напрузі у кристалі, утримуються дірки і вільні електрони, які можуть стати носіями заряду. Дірки формують вузькі електропровідні канали, які приводять до зменшення опору кристалу. Зворотна напруга повертає кисень, знову перетворюючи матеріал в діелектрик з великим опором. Такі переходи створюють стійкі стани пам’яті, які змінюються тільки під дією високих значень напруги певної полярності.
Достарыңызбен бөлісу: |
