Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці


Домішкова провідність напівпровідників



бет2/19
Дата01.11.2022
өлшемі171 Kb.
#156046
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   19
Байланысты:
розділ 2

2.3. Домішкова провідність напівпровідників
Чистий напівпровідник, який би складався тільки з одного хімічного елементу, створити практично не можливо. В реальному напівпровіднику існує певна кількість домішок, тобто атомів іншої хімічної природи. Внесення навіть невеликої кількості домішок (порядку 0,001%) призводить до різкого збільшення електропровідності напівпровідника.
Електрони в зоні провідності в напівпровіднику з донорною домішкою називаються основними носіями заряду. Поряд з цим в такому напівпровіднику при достатньо високих температурах за рахунок власних переходів генеруються і дірки. Останні називаються неосновними носіями. Очевидно, що для напівпровідника з донорною домішкою концентрація електронів набагато більша концентрації дірок:
Дірки в валентній зоні напівпровідника з трьохвалентною домішкою, яка називається акцепторною, є основними носіями заряду. При цьому в такому напівпровіднику завжди є певна кількість вільних електронів за рахунок власної генерації. Вони є неосновними носіями заряду і для такого напівпровідника:
p. (6)
Отже, струм в домішкових напівпровідниках здійснюється загалом основними носіями заряду. Основні носії з’являються в результаті введення в напівпровідник домішки. Така провідність називається домішковою: електронного (n-) або діркового (p-) типу.


2.4. Електронно-дірковий перехід
Електронно-дірковий перехід утворюється на границі двох напівпровідників з різним типом домішкової провідності (див. рис. 2.12). Важливо підкреслити, що електронно-дірковий перехід з потрібними для створення напівпровідникових приладів властивостями повинен бути отриманим в єдиній кристалічній структурі, в різні області якої вводяться акцепторні та донорні домішки. Для цього використовують технологію плавлення (технологія сплавного діода).
На границі розділу областей р і n навіть за відсутності зовнішніх джерел електрорушійної сили утворюється потенціальний бар’єр, який власне і є електронно-дірковим переходом (р-n перехід). Це пояснюється тим, що в приграничній області дірки із р-області внаслідок дифузії рекомбінують з електронами із n-області, збільшуючи кількість зарядово не скомпенсованих іонів решітки (збіднений носіями заряду шар). Зменшення кількості носіїв заряду приводить до збільшення опору р-n переходу. Електричне поле подвійного зарядженого приконтактного шару забезпечує дрейфовий струм неосновних носіїв. Рівновага настає, коли цей струм дорівнює дифузійному струму основних носіїв. Товщина збідненого шару d – потенціального бар’єру – залежить від багатьох факторів і може скласти декілька мікрон (див. рис. 2.13).




Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   19




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет