Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці
Польовий транзистор з плаваючим затвором
жүктеу/скачать 171 Kb.
|
розділ 2
- Бұл бет үшін навигация:
- 2.6.3. Інтегральні мікросхеми
| 2.6.2.3. Польовий транзистор з плаваючим затвором
Транзистор з плаваючим затвором є одним з різновидів польового транзистора (див. рис. 2.29). В нього крім основних складових частин – витоку, стоку і управляючого затвору, є додаткова пластина, яка називається плаваючим затвором. Плаваючий затвор транзистора розташований в глибині діелектрика на деякій відстані від всіх контактів транзистора, що не дає малоенергетичним електронам каналу провідності потрапляти на нього. Вище ізольованого в діелектрику плаваючого затвору розташований управляючий затвор. Якщо до нього прикласти напругу, то багато електронів провідності набувають настільки високої енергії, що можуть внаслідок тунельного ефекту проходити крізь діелектрик і осідати на плаваючому затворі, в результаті чого заряд плаваючого затвору з нейтрального стає негативним. Електрони, що попали на плаваючий затвор, можуть залишатися там протягом десятків років, причому їх кількість не зменшуватиметься, якщо на транзистор не подається напруга. Якщо ж до управляючого затвору прикласти напругу протилежного знаку, то електрони починають з плаваючого затвору стікати, тим самим розряджаючи його. Властивість транзисторів з плаваючим затвором зберігати на ньому заряди широко використовується в напівпровідникових пристроях комп’ютерної пам’яті (докладніше в 2.7.1.6). 2.6.3. Інтегральні мікросхеми Інтегральні мікросхеми складаються із з’єднаних провідним матеріалом груп функціонально пов’язаних схемних елементів (діодів, транзисторів, резисторів, конденсаторів) в єдиній напівпровідниковій матриці і розміщених в окремій капсулі. Кожна інтегральна мікросхема, як єдиний прилад, замінює одну або декілька радіотехнічних схем: підсилювачів, генераторів, логічних схем, тощо. Необхідні з’єднання окремих елементів радіотехнічних схем здійснюються вже в технологічному процесі виготовлення інтегральної схеми. З’єднання між елементами схеми здійснюється не зовнішніми провідниками, а за допомогою плівкової або напівпровідникової технології на поверхні або в глибині напівпровідника. Основою інтегральних мікросхем є напівпровідниковий кристал. Розрізняють три групи інтегральних мікросхем: плівкові, напівпровідникові і гібридні. В напівпровідникових інтегральних схемах всі елементи і між елементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідникової пластини. Кількість елементів може досягати декількох мільйонів. В якості активних елементів в напівпровідникових інтегральних схемах в основному використовуються біполярні транзистори та польові транзистори з ізольованим затвором. жүктеу/скачать 171 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|