2.7.1.9. Будова і принцип дії MLC.
Комірка MLC відноситься до так званих багаторівневих комірок. В ній одночасно може зберігатись декілька біт інформації. Принцип роботи такого транзистора полягає в наступному. Як видно з рис. 2.33 при наявності заряду на плаваючому затворі, провідний канал перекривається і струм через транзистор припиняється. Транзистор можна відкрити подаючи деякий більший потенціал (пороговий потенціал) на управляючий затвор. Таким чином, по значенню порогового потенціалу на управляючому затворі можна судити про кількість заряду на плаваючому затворі. В MLC є можливість розрізняти за допомогою порогового потенціалу різну кількість заряду на плаваючому затворі: немає заряду – відповідає логічному „11”, одна третина заряду – відповідає логічному „10”, дві третини – логічному „01”, повністю заряджений плаваючий затвор – логічному „00”. Це означає, що в одній комірці пам’яті можна зберігати два біта інформації. В сучасних розробках є можливість розрізняти 16 рівнів порогового потенціалу, що відповідає 4 бітам.
2.7.1.10. Будова і принцип дії NROM (Nitrid ROM).
Комірка NROM за своєю структурою є також транзистором з плаваючим затвором. Управляючий затвор підключається до лінії слів, а витік і стік до двох незалежних ліній біт. Плаваючий затвор виконаний не з металу, а з нітриду кремнію Si3N4 (див. рис. 2.39).
Нітрид кремнію локалізує заряд в обмеженому просторі плаваючого затвору, не дозволяючи електронам „розтікатись” по всьому його об’єму. Фактично це дозволяє зберігати два інформаційних біта в одному транзисторі. Запис бітів проводиться за допомогою інжекції „гарячих” електронів за допомогою двох стоків/витоків. Електрони, інжектуючись в плаваючий затвор, локалізуються там в області близькій до відповідного стоку/витоку. Видалення заряду з плаваючого затвору відбувається шляхом інжекції дірок, для чого на стік/витік подається позитивна напруга. Дірки тунелюють в плаваючий затвор, рекомбінуючи там з електронами.
Достарыңызбен бөлісу: |