Жағыпар Әлихан ээ-20-2 Электр қауіпсіздік негіздері және жоғары кернеу техникасы
жүктеу/скачать 51,23 Kb.
|
Ð Ð°Ò Ñ Ð¿Ð°Ñ Ó Ð»Ð¸Ñ Ð°Ð½ Ð Ð -20-2 ТРРâ 41
|
Жағыпар Әлихан ЭЭ-20-2 Электр қауіпсіздік негіздері және жоғары кернеу техникасы 41.Ферромагнитті жұмсақ магнитті және қатты магнитті материалдар Ферромагниттік материалдардың магниттік өткізгіштігі μа айнымалы шама және V-ге тәуелді екені белгілі. Бұл Rm магниттік кедергінің өзгергіштігін тудырады және магниттік тізбектерді есептеуді айтарлықтай қиындатады. Сондықтан ферромагниттік қималары бар магниттік тізбектерді есептеу үшін B = f(H) тәуелділігін көрсететін магниттелу қисықтары болуы керек. Бұл тәуелділіктер эксперименталды түрде – таратылған орамасы бар тұйық магниттік тізбектерді сынау арқылы алынады. Үлгінің бастапқы магниттелуі бастапқы магниттелу қисығы деп аталатын а қисығына сәйкес келеді (4.5-сурет). Күріш. 4.5. В(Н) тәуелділігі – гистерезис циклі Үлгі магнит өрісінің кернеулігінің +Нх -Нх диапазонында өзгеруімен циклдік магниттелуге ұшыраса, онда график гистерезис контуры деп аталатын тұйық қисық болады.Егер циклдік магниттелу процесі магнит өрісі кернеулігінің бірте-бірте өсетін мәндері үшін қайталанса, онда гистерезис контурларының тобын алуға болады және магнит өрісінің кернеулігінің өзгеруіне сәйкес келетін шекті гистерезис контурын алуға болады. +Hmax-тан –Hmax-қа дейінгі диапазон, Hmax-тен H ұлғаюы гистерезис ілмегі аймағының ұлғаюына әкелмейді. Шектеулі гистерезис контуры қалдық магниттік индукцияның мәнін және Hc коэрцив күшін анықтайды. Гистерезис контурларының төбелерін қосатын қисық негізгі магниттелу қисығы деп аталады. Бұл қисық сызықтар анықтамалық нұсқаулықтарда берілген және магниттік тізбектерді есептеуде қолданылады. Циклдік магниттелудің кері айналу процесі физика курсынан белгілі болғандай, гистерезис контурының ауданына пропорционал энергияны қажет етеді. Осыған байланысты үзіліссіз магниттелудің кері айналу жағдайында жұмыс істейтін электр құрылғыларының магниттік тізбектері (мысалы, трансформаторлар) тар гистерезис контуры бар ферромагниттік материалдардан жасалуы керек. Магниттік материалдар, магнитомагниттік материалдар – ферромагнетиктердің немесе ферримагнетиктердің қасиеттеріне ие және олардың индукцияға әсер етуші күштері 4 кА/м-ден аспайтын материалдар. Сондай-ақ мұндай материалдардың магниттік өткізгіштігі жоғары және гистерезис жоғалуы аз. Ж Қатты магниттік материалдар - Hc коэрцив күшінің жоғары мәндерімен сипатталатын магниттік материалдар. Қатты магниттік материалдардың сапасы қалдық магниттік индукцияның Br мәндерімен, материалдың кеңістікке шығаратын максималды магниттік энергиясы Wm және дөңестік коэффициентімен де сипатталады. Материалдар сонымен қатар аталған параметрлердің жоғары уақытша және температуралық тұрақтылығына және қанағаттанарлық беріктік пен пластикке ие болуы керек. Гистерезис (грекше ὑστέρησις – кешігу, кешігу) – жүйелердің (физикалық, биологиялық және т.б.) қасиеті, олардың оларға қолданылатын әсерлерге лезде реакциясы, басқалармен қатар, олардың қазіргі күйіне және олардың мінез-құлқына байланысты. уақыт аралығындағы жүйе негізінен оның фонымен анықталады. Гистерезис «қанықтыру» құбылысымен, сондай-ақ экстремалды күйлер арасындағы тең емес траекториялармен сипатталады (осыдан графиктерде өткір бұрышты циклдің болуы). Бұл ұғымды жүйенің күйінің өзгеруіне монотонды қарсылығын білдіретін жүйелер әрекетінің инерциясымен шатастырмау керек. Электроника мен электротехникада магниттік гистерезисі бар құрылғылар қолданылады - әртүрлі магниттік сақтау құралдары немесе электрлік гистерезис, мысалы, Шмитт триггері немесе гистерезис қозғалтқышы. Гистерезис логикалық сигналдарды ауыстыру сәтінде шуды (жылдам тербеліс, контактінің серпілісі) басу үшін қолданылады. Барлық түрдегі электронды құрылғыларда термиялық гистерезис құбылысы байқалады: құрылғыны қыздырғаннан кейін және оны бастапқы температураға дейін салқындатқаннан кейін оның параметрлері бастапқы мәндерге оралмайды. Жартылай өткізгіш кристалдардың, кристалдық ұстағыштардың, микросұлба пакеттерінің және баспа платаларының термиялық кеңеюінің біркелкі болмауына байланысты кристалдарда механикалық кернеулер пайда болады, олар салқындағаннан кейін де сақталады. Термиялық гистерезис құбылысы аналогты-цифрлық түрлендіргіштерді өлшеуде қолданылатын дәлдіктегі кернеу сілтемелерінде көбірек байқалады. Қазіргі микросұлбаларда жылулық гистерезиске байланысты эталондық кернеудің салыстырмалы ығысуы 10–100 ppm тәртібінде болады [1]. жүктеу/скачать 51,23 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|