Лекции по наноматериалам и нанотехнологиям



Pdf көрінісі
бет35/103
Дата19.12.2023
өлшемі12,63 Mb.
#197643
1   ...   31   32   33   34   35   36   37   38   ...   103
Байланысты:
Nanomateriali i nanotehnologii bak

Co
Ag

при концентрации 
Co
20%, что связывается с оптимальным 
размером кластеров кобальта. 
Магнетосопротивление определяется как зависимость от относительной 
величины магнитного поля, нормированной на величину намагниченности 
насыщения. 
На 
опыте 
определяется 
суммарное 
значение 
магнетосопротивления, связанное с общим изменением намагниченности М 
 
 
 
2
4
0
0
S
S
H
M
M
M
M



















Распределение кластеров по размерам и межкластерные взаимодействия 
приводят к появлению второго слагаемого. На рис.1.53. представлена 
экспериментальная зависимость системы 
Co Cu

при 5 
К

Рис. 1.53. Магнетосопротивление (а) и б) петля гистерезиса наносистемы 
16
84
Co Cu
[2] 
Относительное изменение магнетосопротивления от концентрации кобальта 
приведено на рис. 1.54 и нормализованной намагниченности на рис. 1.55.


70 
Рис. 1.54. Изменение магнетосопротивления в единицах ( )
(0) / (0)
H




в процентах для 
наносистемы 
Co
Ag

при разной концентрации 
Co
при 
5
T
K

и
300
T
K

[2] 
Рис. 1.55. Зависимость относительного магнетосопротивления в процентах от 
нормализованной намагниченности 
/
S
M M
. Темные и светлые точки соответствуют данным 
на рис. 1.54. [2] 
Эффект ГМС можно объяснит на основе модели двух электрических токов. 
В разориентированной наносистеме рассеяние электрона на магнитном домене 
кластера эквивалентно в двух направлениях ( например, вверх и вниз). В 
упорядоченной магнитным полем наносистеме, одно из направлений, (вдоль 
оси магнитного поля) обладает меньшим сопротивлением, чем другое. Оба 
канала работают параллельно, сумма параллельно соединенных сопротивлений 
становиться меньше меньшего, что ведет к значительному уменьшению 
сопротивления. 
Уменьшение гигантского магнетосопротивления 


коррелирует с 
увеличением размера 
d
кластера 
1/
d


. ГМС определяется отношением 
поверхности магнитных кластеров и площади межфазных границ к их объему. 
Рассеяние электронов в зависимости от спина происходит на межфазных 
границах между кластерами и матрицей. 
Эффект ГМС впервые наблюдался на пленках, в которых чередовались 
слои железа и хрома. См.Рис. 1.56. 


71 
 
Рис. 1.56. Три структуры, в которых наблюдается гигантское магнитосопротивление.[1] 
На рис. 1.56. показано: а) Чередующиеся слои немагнитного материала с 
ферромагнитными слоями; б) Случайно ориентированные ферромагнитные 
наночастицы 
кобальта 
(большие 
кружки 
в 
немагнитной 
медной 
матрице(маленькие кружки); в) Смешанная система, состоящая из серебряных 
слоев с наночастицами кобальта и магнитных слоев из сплава 
Ni
Fe

с 
чередующимися направлениями намагниченности. 
Материалы из однодоменных ферромагнитных частиц со случайной 
ориентировкой векторов намагниченности в немагнитной проводящей матрице 
обладают также ГМС. Рис. 1.56.б). 
На рис. 1.57. приведена зависимость электрического сопротивления системы 
железо-хром от магнитного поля. На рис. 1.58. показана зависимость
изменения магнетосопротивления от толщины магнитного слоя железа в 
постоянном магнитном поле. 
Рис. 1.57.слева. зависимость электрического сопротивления многослойной системы железо-
хром от магнитного поля, приложенного параллельно поверхности слоев. [1] 
Рис. 1.58.справа. Зависимость изменения магнитосопротивления 
R

от толщины магнитного 
слоя железа в многослойной структуре 
Fe Cr

в постоянном магнитном поле.[1] 
На рис. 1.59. показана зависимость магнетосопротивления тонкой пленки 
кобальта в медной матрице от внешнего магнитного поля. На рис. 1.60. 
показана кристаллическая структура 
3
LaMnO
легированная кальцием, что 
приводит громадному магнитосопротивлению. 


72 
Рис. 1.59. Слева. Зависимость изменения магнетосопротивления
от 
приложенного 
магнитного поля для тонкой пленки наночастиц кобальта в медной матрице.[1] 
Рис. 1.60. Кристаллическая структура 
3
LaMnO
, в которой при легировании Са или 
стронцием, замещающих лантан, наблюдается колоссальное магнетосопротивление.[1]
Явление гигантского магнетосопротивления служит чувствительным 
детектором 
магнитного 
поля 
и 
служит 
основой 
для 
создания 
высокочувствительных считывающих головок магнитных дисков. 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   31   32   33   34   35   36   37   38   ...   103




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет