Мазмұны Кіріспе І – Тарау; Әдебиеттерге шолу
Дислокация жөнінде жалпы түсінік
жүктеу/скачать 5,67 Mb.
|
Дип.-Денелердің-беріктілігін-зерттеу
- Бұл бет үшін навигация:
- Сызықты дислокациялар.
| Дислокация жөнінде жалпы түсінік
Пластикалық ағудың дислокациялық теориясы кристалл құрылымының бұзылған жерінен сырғанау процесі басталып, ығысу жазықтығымен таралады, әрбір уақыт мерзімінде бұл бұзылған жердің орын ауыстыруы үшін аса көп емес атомдарды қамтиды деген көзқарасқа негізделген. Кристалл құрылымының мұндай түрде бұзылуын дислокация деп атайды. Негізгі дислокация түрлерін қарастырайық. Сызықты дислокациялар. Кристалдың АВСD жазықтығының АНЕД бөлігінде векторы бағытында сырғанау болды дейік (2.7.-сурет). 2.7.-сурет А Сырғанау (ығысу) векторы Дислокацияның орын ауыстыру бағыты НЕД сырғанау жазықтығының екі жағындағы атом жазықтықтары в ара қашықтыққа бірінен-бірі сырғанау бағытына ығысады. Сырғанау процесі өткен АНЕД кристалдың бөлігін сырғанау әлі болмаған НВСЕ кристалл бөлігін шектейтін НЕ сызықты дислокация сызығы деп атайды, ал векторын ығысу векторы деп атайды. Бұл вектор кристалдың АНЕД бөлігінің сырғанау дәрежесін сипаттайды. Дислокация сызығына перпендикуляр жазықтықтағы атомдардың орналасуын схема түрде көрсетуге болады (2.8.-сурет). 2.8.-сурет Кристалдың АНЕД бөлігінде ығысу болғандықтан, тордың жоғары жағында бір атом жазықтығына (ОМ жазық) тордың төменгі жағындағыға қарағанда артық болады. Сол себепті ығысу жазықтық үстіндегі 1 атом қатары ығысу жазықтық астындағы 2 атом қатарынан бір атом қатарына артық. «О» нүктесіндегі (дислокация орталығы) жоғарғы жазықтағы атомдар ара қашықтығы нормал ара қашықтықтан кіші (тор сығылған), ал «О» нүктесінің төменгі қатардағы атомдар арасындағы нормал ара қашықтықтан үлкен (тор тартылған) болады. Дислокацияның орталығынан, яғни «О» нүктесінен оңға және солға, жоғары және төмен қозғалғанда тордың бұзылу дәрежесі төмендеп, «О» нүктесінен белгілі бір ара қашықтықта кристалдағы атомдардың торда орналасуы бұрынғы дислокация жоқ кездегі қалпына келеді. Схема жазықтығына перпендикуляр бағытта дислокация барлық кристалдан немесе кристалдың бір бөлігіне дейін өтеді. Сонымен, сызықты дислокацияның сипаттамасына кристалл торының бір бөлігінде «артық» ОМ атом жазықтығы жатады екен. Сондықтан сызықты дислокацияның пайда болуын торды ығыстырып, қосымша атомдар жазықтығын енгізу процесі деп қабылдауға болады. Бұл жазықтықты экстра-жазықтық деп атайды. Егер атом жазықтығы тордың жоғарғы жағына енгізілсе, онда сызықты дислокацияны оң таңбалы деп (2.8. а-сурет), ал егер қосымша жазықтық тордың төменгі жағына енгізілсе, дислокация теріс таңбалы деп аталады (2.8. б-сурет). Ығысу векторы тордың тұрақтысына тең болса, онда дислокацияны бірлік дислокация немесе бірлік қуатты дислокация деп атайды. Кристал көлденең қимасынан бірлік дислокация өтсе, онда кристалдың бір бөлігі екінші бөлігінен «в» шамасына ығысады. Оң таңбалы дислокацияның солға қозғалуындағы кристалл торы бөлігінің ығысуы теріс таңбалы дислокацияның оңға қозғалғандағы кристалл тор бөлігінің ығысуына сәйкес келеді (2.8. а, б-сурет). жүктеу/скачать 5,67 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|