Нанотехнология негіздері оқу құралы Алматы


Фуллерендердің қолданылуы



бет31/38
Дата03.10.2022
өлшемі3,32 Mb.
#151429
1   ...   27   28   29   30   31   32   33   34   ...   38
Байланысты:
treatise34956

4.4. Фуллерендердің қолданылуы

Тәжірибелік қолданылуының қызықты мүмкіндігі фуллерендік қоспаны CVD-әдісімен (Chemical Vapor Deposition) алмаздық қабықтың өсуі кезінде қолданылуы болып табылады.


Фуллерендерді газдық фазаға қосу екі қөзқарас тұрғысынан тиімді: ішкі қабықшадағы алмаз ядроларының құрылу жылдамдығын көбейту және ішкі қабықшаға газдық фазадан құрылыс блоктарын жеткізу. Құрылыс блоктары ретінде алмаздық қабықшаның өсуі үшін қолайлы материал болып табылатын С2 фрагменттері қолданылады.(выступают) Алмаздық қабықшаның өсу жылдамдығы 0.6 мкм/сағ-қа жететіні тәжірибелік тұрғыдан дәлелденген және ол фуллерендерді қолданбаудан 5 есе жоғары болып табылады.Алмаздардың электроникадағы басқа жартылайөткізгіштермен шынайы бәсекелестігі үшін алмаздық қабықшалардың гетероэпитаксиясы әдісін жасау керек болып табылады, бірақ алмаздық емес ішкі қабықшасындағы монокристалдардың қабықшаларының өсуі әзірге шешілмеген есеп болып қалып отыр.
Бұл мәселені шешудің мүмкін болатын жолдардың бірі – ішкі қабықша мен алмаздардың қабықшасының арасында фуллерендердің аралық (дәнекер) қабықшасын қолдану. Бұл бағыттағы зерттеулердің алғышарты фуллерендердің көпшілік материалдарға жақсы адгезиясы болып табылады.
Аталып өтілген жағдайлар келесі деңгейдегі микроэлектроникада алмаздардың қолданылу пәніне интенсивтік зерттеулермен байланысты ереше маңызды болып табылады. Жоғары жылдамәрекет (жоғары қаныққан дрейфтік жылдамдық); басқа кез келген белгілі материалдармен салыстырғанда максимальды, жылуөткізгіштік және химиялық тұрақтылығы келесі деңгейдегі электроника үшін алмаздарды болшағы бар материал ретінде көрсетеді.
4.5 Көміртекті нанотүтікшелер

Көміртекті нанотүтікшелер - диаметрі бірден бірнеше ондаған нанометрге және ұзындығы бірнеше сантиметрге дейін, графиттік жазықтықтардың гексагональдық түтікшелерге оралған ұзын цилиндрлік құрылымнан (графендерден) тұрады және кәдімгідей жартылай сферамен аяқталады.


Көміртекті нанотүтікшелер әр түрлі атомдық құрылымға және соларға сәйкес әр түрлі қасиеттерге ие болады (сурет 4.3).

4.3 сурет. Нанокөмiртектi түтікшелердің графит парағының орау тәсіліне тәуелділігі: (а) – креслотәрізді ; (б)– иректәрізді; ( в) – хиральдіқұрылымдар

Көмiртектi нанотүтікшені графит парағын цилиндр түрінде оралғандай деп қарастыруға болады. 1-шы суретте графит парағын әртүрлi өстердiң айналасында ораудан алынған құрылымдардың бірнеше мүмкін болған варианттары көрсетілген: 1) кресло құрылымды; 2) ирек құрылымды; 3) хиральді құрылымды. Әдетте нанотүтікшелер екі жағынан жабық болады, бұл бесбұрышты топологиялық құрылымның әр бір цилиндрдің соңына еңгізуді талап етеді.





Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   27   28   29   30   31   32   33   34   ...   38




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет