Основные формулы и законы
жүктеу/скачать 1,54 Mb.
|
Основные формулы и законы
- Бұл бет үшін навигация:
- Электропроводность полупроводников. Фотопроводимость.
Строение атомаЭлектронная конфигурация атома 1s2 2s2 2p6 3s2 ... , где числа - показатели степени, соответствуют заполнению электронами соответ-ствующих подоболочек. Общее число состояний в n-й оболочке Z(n)=2n2. Момент импульса одного электрона , где s =1/2 - спиновое квантовое число. Свободные электроны в металле. Распределение Ферми-Дирака. Уровень Ферми. Работа выхода Распределение свободных электронов в металле по энергиям при 0 К dn( ) = (2m)3/2 1/2d /2 2ћ3, где dn( ) - концентрация электронов, энергия которых заключена в пределах от до +d . Максимальная энергия электронов в металле (энергия Ферми) при 0 К F=ћ2(3 2n)2/3 /2m, где n - концентрация электронов в металле. Средняя энергия электронов ср =3 F/5. Вероятность нахождения электрона в состоянии с энергией при произвольных температурах Т (распределение Ферми-Дирака) P = {exp[( - F)/(kT)] +1}-1. Связь между глубиной U потенциальной ямы и работой выхода А электрона из металла U= max + A, где max - максимальная энергия электрона в яме. Электропроводность полупроводников. Фотопроводимость.P-n-переходУдельная проводимость собственных полупроводников = 0 exp(- E/2kT), где E - ширина запрещенной зоны; 0 - константа. Условие возникновения тока в полупроводнике при облучении светом с частотой : h E. Сила тока в p-n-переходе I= I0 [exp(eU/kT)-1], где I0 - предельное значение силы обратного тока; U - внешнее напряжение, приложенное к p-n-переходу. жүктеу/скачать 1,54 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|