Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
жүктеу/скачать 21,72 Mb. Pdf көрінісі
|
Nemtsov-E-lektr-tehnika-zh-ne-e-lektronika.-O-uly-
- Бұл бет үшін навигация:
- Далалық МДЖ - транзисторлардың
| Далалық МДЖ
- транзисторлардың p-n - өткелді далалық транзисторлардан айырмашылығы – оларда З бекітпесінің электроды арнадан диэлектрик қабатымен оқшауланған. Диэлектрик ретінде әдетте SiO 2 пайдаланылады . Сондықтан МДЖ терминімен қатар МОЖ термині де қолданылады, ол металл – оксид – жартылай өткізгіш құрылымын білдіреді (MOSFET — metal oxid semiconductor field effect transistor). МДЖ - транзистор p немесе n - типті кремний тілімі болып есептеледі, ол П төсеніш деп аталады, онда өткізгіштіктің қарама - қарсы типі бар екі аймақ құрылады. Ол аймақтардың бірі И бастау , екіншісі С ағынды ретінде пайдаланылады. МДЖ - транзисторлар кіріктірме және индуцирленген арналы бо - 361 p-n - переход – p-n - өткел; n - канал – n - арна; подложка - төсеніш 13.20- сурет лып бөлінеді. Кіріктірме n-арналы МДЖ-транзистор (13.20- сурет) р - типті жартылай өткізгіштен жасалған төсеніштен тұрады, онда ағынды мен бастауға арналған n- типті жартылай өткізгіштің екі аймағы құрылады. Диэлектрик пен төсеніштің бөліну шекарасында контактілік құбылыстардың салдарынан оның шекаралық қабатында инверсті қабат, яғни n- арна пайда болады. Бұл арна өз арасында U ЗИ = 0 кернеу жоқ кезде ағынды мен бастау аймақтарын жалғайды. U ЗИ > 0 болған кезде арна электрондармен байытылады, ал U ЗИ < 0 кезінде жұқарады. Кіріктірме n - арналы МДЖ - транзистордың статикалық ағындық және ағындық - бекітпелі сипаттамалары 13.21, а және б суреттерінде келтірілген, ондағы U ЗИқи — қиылу кернеуі . Кіріктірме арналы МДЖ - транзистордың ерекшелігі – олардың арнаны жұқарту және байыту режимінде жұмыс істеу мүмкіндігі болып табылады. Индуцирленген n-арналы МДЖ-транзистор 13.20- суреттегі құрылымда төсеніштің жартылай өткізгіш қабатын SiO 2 диэлектригінің астында акцепторлармен лигирлеген жағдайда алынады. Онда U ЗИ = 0 кернеуінде ағынды мен бастау арасында өткізгіш арна болмайды да, U ЗИ > U ЗИшек кернеуінде пайда болады. 13.22, а және б суретінде индуцирленген n - арналы МДЖ - транзистордың ағындық және ағындық - бекітпелі статикалық сипаттамалары келтірілген. МДЖ - транзисторларда төсеніш электроды не бастау электродымен бірігеді, не екінші бекітпе ретінде қызмет етеді. 362 13.21- сурет 13.22- сурет 13.23- сурет Басқарылмалы p-n - өткелді далалық транзисторлардың, индуцирленген n- арналы МДЖ - транзисторлардың және кіріктірме арналы МДЖ - транзисторлардың шартты белгілері сәйкесінше 13.23 - суреттің 1-3 - позицияларында, а n - арна үшін және 13.23, б суреті р - арна үшін келтірілген. жүктеу/скачать 21,72 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|