Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»

нан аз), орташа (10-нан 100-ге дейін), үлкендер (100-ден 1 000-ге 
дейін) және аса үлкендер (1000-нан жоғары). 
Функционалды тағайындалуы бойынша барынша таратылған 
микросхемалар жіктемесі 1.2. кестеде берілген.
1 . 2 - к е с т е
Шағын топ және микросхема түрлері
Белгілері 
Қалыптастырғыш:
атаулы ток
АА
тікбұрыш формалы импульстар
АГ
басқалар 
АП
Есептеу құралдарының сызбасы:
магистралды түйіндесу;
ВА
Кіргізу-шығаруды басқару (интерфейсті схема);
ВВ
бақылаушылар;
ВГ
микроЭЕМ;
BE
мамандандырылған;
ВЖ
уақыт белгілейтін;
ВИ
микропроцессорлар;
ВМ
Үзілістерді басқару (үзілісті бақылаушылар)
ВН
Генераторлар
ГГ, ГФ
Арифметикалық-логикалық құрылғылар
ИА
Шифраторлар
ИВ
Дешифраторлар
ИД
Есептеуіштер
ИЕ
Сумматорлар
ИМ
Тіркелімдер 
ИР
Логикалық элементтер: ЖӘНЕ — ЕМЕС;
ЛА
ЖӘНЕ — ЕМЕС/НЕМЕСЕ — ЕМЕС;
ЛБ

Шағын топ және микросхема түрлері
Белгілері 
НЕМЕСЕ — ЕМЕС, ЖӘНЕ;
ЛЕ, ЛИ
НЕМЕСЕ — ЕМЕС, НЕМЕСЕ;
ЛЛ
ЕМЕС
ЛН
Триггерлер:
типJК (әмбебап);
ТВ
типD (кідірісті);
ТМ
типRS(жеке қосумен);
ТР
тип Т (есептік);
ТТ
Шмитта (импульс қалыптастыру)
ТЛ
ПЗУ:
бірнеше есе бағдарламалау мүмкіндігімен;
РР
бір дүркін бағдарламалау мүмкіндігімен;
РТ
Ультракүлгіндік өшіру мен электр жазбамен
РФ
ОЕҚ (оперативті есте сақтау құрылғысы), салыстыру схемасы
РУ, СП, СС
Түрлендіргіштер:
Цифрлық-аналогты;
ПА
Аналогты-цифрлық
ПВ
Қабықшалы ИС-да диэлектриктен (шыныдан, керамикадан) 
төсем 
болады. 
Пассивті 
элементтер 
(резисторлар, 
конденсаторлар, орамдар, трансформаторлар, элементтер 
арасындағы жалғаулар) төсемге қойылған қабықша түрінде 
жасалған. Қалыңдығы 2мкм-дан аспайтын жұқа қабықшалы 
және қалыңдығы 2мкм –ден едәуір асатын қалың қабықшалы 
ИС болып ажыратылу тиіс. Бұл ИС арасындағы 
айырмашылық оларды орнату технологиясына байланысты 
болады. Жұқа қабықшалы ИС материалды вакуумда ыдырату 
арқылы арнайы фотошаблондар арқылы алады, ал қалың 
қабықшалы ИС температура 1 000 °С.болғанда төсемге 
арнайы паста қыздыру жолымен алады. Төсемдер мұқият 

тегістелген және жылтырлатылған қалыңдығы 0,5....1,0мм 
диэлектрлі пластинкадан тұрады.
Қабықшалы 
резисторларды 
дайындау 
кезінде 
түп 
төсемдерге резистивті қабықшалар төселеді. Егер резистор 
кедергісі қатты үлкен болмау керек болса, онда қабықша 
жоғары кедергілі қоспадан, мысалы, нихромнан жасалады. Ал 
жоғары кедергілі резисторларға металлдың керамикамен 
қоспасы қолданылады. Резистивті қабықшаларды ұштарын 
резисторды басқа элементтермен жалғастырушы металл 
қабықша түрінде жасайды. Қабықшалы резистор кедергісі 
қабықша әзірленген материалдың ұзындығына, қалыңдығына 
және еніне байланысты болады. Кедергіні арттыру үшін 
қабықшалы резисторлар ирек-ирек формада жасалады.
Қабықшалы резисторлардың үлесті кедергісі ерекше 
бірлікте- ом шаршыға көрінеді, шаршы формасындағы бұл 
қабықшаның кедергісі бұл шаршының көлеміне байланысты 
болмайды: 
■
Жұқа қабықшалы резисторларда үлесті кедергі 10-нан 300 
Ом/П дейін болуы мүмкін. Олардың әзірлену дәлдігі түп 
төсемге байланысты болады. Түп төсем резистивті қабаты 
шамалап 
алшақтайды, 
мысалы, 
лазердің 
көмегімен 
қажеттіден әдейілеп біршама азайтылған кедергі де қажетті 
мәнге дейін арттырылады. 
■
Қалың қабықшалы резисторларды үлесті кедергісі 2 Ом/П-
ден 1 МОм/П дейін болады. Олардың тұрақтылығы жұқа 
қабықшалы резисторларға қарағанда нашар болып келеді. 

жүктеу/скачать 5,96 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: