Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»
жүктеу/скачать 5,96 Mb. Pdf көрінісі
|
5ddcb76d5d423 1574745965
Деформацияланған пісіру құрылымдарын жөндеу, Пропедевтика пәнінен дәрістер жиынтығы
| ҮЛКЕН ИС ЖОБАЛАУ
ЕРЕКШЕЛІКТЕРІ Үлкен ИС жетілдіру кезінде элементтер санын арттыруда қиындық туындайды. Оны шешіп, жобалаушылар бір-біріне параллель бірнеше қабатта орналасқан Оны шешіп, жобалаушылар бір-біріне параллель бірнеше қабатта орналасқан бірнеше төсемдерді пайдаланатын көпқабатты (көпдеңгейлі) құрылымға келді. Бұл кезде түрлі деңгей төсемдері арасында электр қосылыстарын қамтамасыз ету мәселесі туындайды. Әдетте, төсемде ИС төсемнен төсемге сандық сигналдарды беретін үлкен электр схемасының функционалды тұрғыдан аяқталмаған фрагментін орналастыруға тырысады. Үлкен ИС қосылыстарды қамтамасыз ету үшін көпдеңгейлі ажыратқыштың арнайы бағдарламасы пайдаланылады. Үлкен ИС кремний кристалында орындалады, олардың арасында жартылай өткізгішті технология бойынша орындалған диэлектрик қабықшалы қабаты орналасады. Арнайы тапсырманы орындауға, әдетте, сандық аппаратураларда жартылай өткізгіш технологиясы бойынша орындалған жартылай тапсырысты үлкен ИС арналады. Оларды әзірлеу үшін одан әрі қолданысы ерекшелігіне байланысты түрін өзгерте алатын базалық кристалдар пайдаланылады. Базалық кристалдар өз құрамында 1-ден 20 мыға дейінгі элементтерден тұрады. Жартылай тапсырысты үлкен ИС бірнеше кезеңмен әзірленеді: 1) тапсырысшы дайындаушы кәсіпорынға нақты схематехникалық құрылым үшін құжаттама кешенін әзірлеуге техникалық тапсырма береді, құжаттар қатарына элемент аралық байланысты орындауға арналған құжат міндетті түрде кіруі керек; 2) әзірлеуші қажетті электр схемасы іске асырылатын базалық кристалдың лайықты түрін таңдайды; 3) есептеуіш жүйелер мен арнайы бағдарламалық өнімдерді қолдану кезінде әзірлеуші үлгілеудің бірнеше нұсқасын жүргізіп, ең жақсысын таңдағаннан кейін құрылымдық құжаттардың толық пакеті әзірленеді; 4) әзірленген құрылымдық құжаттама бойынша жартылай өткізгішті базалық кристалда элемент аралық қосылыс орындалады, нәтижесінде кристалл 20 мыңға дейінгң транзисторларды қамтитын күрделі функционалды аяқталған құрылғыға айналады; 5) кристалл корпусқа орналасады, кристалл шығыстары корпус шығыстарына жалғанады, арнайы қабырғада қызмет етуіне тексеріс жүктеу/скачать 5,96 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|