Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці
жүктеу/скачать 171 Kb.
|
розділ 2
- Бұл бет үшін навигация:
- 2.8.7. Перспективні технології флеш-пам’яті а) MRAM
| 2.8.4. Архітектура NAND.
Дану архітектуру флеш-пам’яті розробила фірма Toshiba в 1989 році.Схема логічного елемента, який отримав назву (NAND – Not AND – в булевій математиці означає „і - не”) Архітектура NAND у флеш-пам’яті застосовується найчастіше у матриці, елемент якої показано на рис. 2.45.Тут, як і в архітектурі NOR, вхідні сигнали ідуть по лініях слів на управляючі затвори, а вихідні сигнали знімаються по лініях біт. При проходженні одночасно сигналів на два сусідні транзистори з плаваючими затворами („1”) і на два транзистори з селективних ліній вони відкриваються, їх опори стають близькими до нуля і на лінії біт потенціал стає рівний нулю („0”). Будь які інші варіанти з відкриттям лише одного транзистора будуть давати на виході „1”. Селективні лінії необхідні для керування записом і зчитуванням необхідних комірок. Якщо порівнювати архітектури NOR і NAND, то можна відзначити більшу швидкість читання у першої і запису (причому, набагато) у другої архітектури. Архітектура NAND найчастіше застосовується в картах пам’яті. 2.8.7. Перспективні технології флеш-пам’яті а) MRAM (англ.: Magnetoresistive Random Access Memory – магніторезистивна пам’ять з довільним доступом) базується на використанні магніторезистивного ефекту. Електронна схема MRAM відрізняється від DRAM (див. рис. 2.40) присутністю замість конденсатора елемента, що складається з двох розділених діамагнетиком (оксид алюмінію) магнітних шарів. Один із феромагнітних шарів (нижній) є постійним магнітом з визначеним напрямком магнітного моменту. Намагнічення іншого шару може змінюватись на 1800 шляхом прикладання зовнішнього магнітного поля або напруги. Це можливе завдяки використанню матеріалу надрешіток і переходу з магнітним тунелюванням MTJ (Magnetic Tunnel Junction). Якщо магнітні моменти обох шарів паралельні, електричний опір всього елементу невеликий, це відповідає стану логічної „1”. Якщо „антипаралельні” – опір малий, і це відповідає стану „0” (див. рис. 2.47). Напрямок магнітних моментів шарів можна змінювати пропускаючи струм великого значення по шинах з якими контактують магнітні шари. Як відомо, навколо таких провідників із струмом виникає магнітне поле, яке і перемагнічує відповідний феромагнітний шар. жүктеу/скачать 171 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|