Розділ Напівпровідникові прилади та їх використання в обчислювальній техніці
жүктеу/скачать 171 Kb.
|
розділ 2
- Бұл бет үшін навигация:
- Недоліки Flash
- 2.7.17. Будова і принцип дії МНОН і ЛІЗМОН.
- 2.7.1.8. Будова і принцип дії SST.
| Переваги Flash:
Висока швидкість перезапису за рахунок того, що стирання інформації відбувається блоками; Собівартість виробництва невисока. Недоліки Flash: Повільний запис в довільні ділянки пам’яті. 2.7.1.6. Будова і принцип дії ROM з можливістю перезаписування. У всіх перепрограмованих ПЗП кількість перезаписувань складає від 10 до 10000 разів завдяки використанню елементів пам’яті на МДН транзисторах зі структурою МНОН (Метал Al – Нітрид кремнію Si3N4 – Окисел кремнію SiO – Напівпровідник Si) або зі структурою ЛІЗМОН (Метал – Окисел кремнію – Напівпровідник з Лавинною Інжекцією Заряду). Як говорилось вище, ці ПЗП можна розділити на мікросхеми, що стираються електричним сигналом і ультрафіолетовим випромінюванням. 2.7.17. Будова і принцип дії МНОН і ЛІЗМОН. МНОН є, найчастіше, МОН-транзисторами (Метал – Окисел кремнію – Напівпровідник) з провідним каналом n – або р – типу, що має двошаровий діелектрик під затвором (див.рис. 2.31, а). Верхній шар сформований з нітриду кремнію, нижній (набагато тонший) – з окислу кремнію. Процес програмування такої мікросхеми відбувається в два етапи: Стирається інформація шляхом подачі імпульсу напруги негативної полярності біля 40 В на затвор. Електрони витісняються із підзатворного діелектрика в основу напівпровідника (елемент пам’яті отримує стан „0”); Подається імпульс напруги позитивної полярності на затвор. Електрони переходять в міждіелектричний шар, що, відповідно, еквівалентне стану „1”. 2.7.1.8. Будова і принцип дії SST. Описаними вище комірками пам’яті на основі транзисторів з плаваючим затвором не обмежується різноманіттям можливих конструкцій. Широкого вжитку набула комірка SST. Будовою вона нагадує комірку на основі ЛІЗМОН, але в ній змінені форми плаваючого і управляючого затворів (див. рис. 2.38). Управляючий затвор має вигнуту форму, так що одночасно знаходиться над витоком і краєм стоку. Плаваючий затвор при такій конструкції управляючого може знаходитись між ним і витоком. Це суттєво спрощує процеси інжекції „гарячих” електронів і тунелювання Фаулера-Нордхейма, яке відбувається не в область витоку, а в область управляючого затвору. Така будова транзистора значно підвищує його довговічність за рахунок довшого збереження структури діелектрика. жүктеу/скачать 171 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|