2г (Л2 + Л2)3/2 * ^^max ПрИ Н—R ^ 9 ^mm ПрИ Н— ОО .
17.34. Е = —~—j=576 кВ/м;
2к b^R
Е — —-sin -^-= 740 кВ/м.
2лроН2ф 2 /
17.35. Е
2е0 L‘
Vh2 + B
1; Е = ^-; Е,
I г>2-* 2ео
при Л = 0; Е^0 при h-+ ос.
17.36. Е =
Q
17.37.
ц>.
2леоД2
Q
1 —
д/l + (Д/0
18 кВ.
1——^ = 40,5 В/м.
2ег
2я£о(Л2 -)- Л 1)
17.38. Как видно из рисунка 23, потенциал поля в точке А равен
ф = ф1 + ф2; ^ф1=— Edrx =
т drI
2ле0 ri
ф1 =
221
Аналогично найдем (|2. Учитывая, что С[=С2, получим:
г , г.
•I =-—In — .
2 te0 г,
( \ R 2 "f ' \ Д т -|- Г").
RI ——^24,5 мм — радиус первой эквипотен-
Q т 41; | \ij /х
циальной поверхности. В общем виде для любой эквипотен-
D Q
циальной поверхности Rt> = — , где л = 1, 2, 3, 4, ...
Q -~n4iFQ\цНи
Для радиуса любой эквипотенциальной поверхности
Яо = г ~ГГ~’ где « =0, 1, 2, 3,Й1 =Ло = 1 см; Д2= 1,11 см;
ОДл
R * = 1,25 см и т. д.
При <|л=0 имеем <|в— —25 В, цD — — 75 В; если ((с — 0, то (|«--25 В, tj/> = — 25 В; при <j£ = 0 имеем <|Д =75 В, 4^ = 25 В.
l,= IE-'W = 31,2 мм;
'^й^ЗГ=21 мм‘
q
Пи
\П
ц | = ({ > (это значит, что потенциал всюду одинаков и равен потенциалу на поверхности); ^2=180 В; ср3 = 90 В.
А - ^ ^ • -^^-= 0,3 мДж.
4It-о
А = 3mg ^ 30 мДж.
А = — \^й(в2/4ле0)^= —90 мДж.
Q2R (h + h)\l\ + ll
F =
R
Qi== — ~ Q (знак « —* показывает, что заряд Qi противоположный по знаку заряду Q2).
1ГГ.П гг Q' л ^
i’-53- '*=£;■ i’-54- -f=^-
Электрическое поле внутри и вне сферы равно полю точечного заряда Q, помещенного в ее центре; электрическое поле отсутствует всюду, кроме области внутри сферы.
о = (т0 cos а.
ф,-ф2 = -1-.2<г(/-у = 3,6 кВ.
т г 4ле0 г{1 - г)
ai = ai' = e/2S — пластины 7;
(72= — 02 = — Q/2S — пластины 2.
Дф = ^(/,
Е=ра/3е0-
Г = 2яу^-*20 пс.
Q2 = ^Q, = 180 нКл;
a = —■ ^ , = 5,7 мкКл/м2. р, 4лЯ‘;
Знак поляризационного заряда противоположен знаку заряда на шарике.
£7] = 14,4 кВ/м; E2 = S99 кВ/м.
o = 8{)8rU/k = ly5 мкКл/м2; a/ = fc°^'~1^=l,5 мкКл/м2.
Е\= Qr' «533 —; Е, = —^—г= 2,3 —;
4ле0ь'гЛ м 4лк0к,Г} м
D, = -^V=23,6 D2 = -^t=19,5
4лК м- 4лг2 , м~
-Q(3fl -r:> _3Q кВ; кВ>
8лео*>Я 4лК|,КгГ;
1) D = E = 0; 2) £ = ^ЬМ=23 нКл/м2; £ = 523 В/м;
2
3) I,-m,~+7~12’1 нКл/"’;
Е= '1<Д;7В') «550 В/м;
*-*о( О
\г( — р -t 2R{ ^ fv q тэ
3t0(f-)i 2Я., 'У’У
223
Q; = (Q'+q»)&-=9,6 нКл;
it i -f-R>
Q2 = (Qi + Q2)-Q; = 21,5 нКл. 17.68. Q'=(£i±5aW. Q, (Qi+Q^. Q'+9.l,
R\-\~R2 R\-\-R2 R\-\-R2
®i=7#^b=3,3 B/cm;
«-iE+^+55-1-1 B/M-
U = 4~^r-
2 С
С = 174 пФ.
С = 75,4 пФ.
г-» 10 см.
[7<^1±^С71, если С,<С2;
Сг
U = Ui + U2, если С,=С2.
ДФ = С|А^1 + ^А(Р2 = 36,7 В.
С | +с2
t/2= Cf' =12,5 В.
С2 = С3=-|{С--|г) = 30 мкФ. Q2 = Q3 = 7,5 мКл.
n = 1 = 11 пластин.
е0яЯ
По 2 последовательно соединенных конденсатора в 4 параллельно соединенные ветви. Всего 8 конденсаторов.
AUab=C'®'~-%~2= — 1,3 В.
Собщ = 2С.
QO Сз^2—Ci «Г,
Q,=C, Ci + CT '.
С= JEo£,l ; С=-^.
А(Бг 1/ О
Разность потенциалов до внесения пластины 900 В, после внесения 675 В.
До соединения пластин Uad=e&\ Uab = Ubc = UCd = — • Если
о
ар 2
принять фа = 0, то фй = —; фг = —W; ф,/ = ^. Если b и с
О О
соединить, то фй = фс и ЕЬс — 0; С/аь = ?7^ = —.
Следовательно, напряженность поля Eab = ECd возрастает. На пластинах b и с заряда не будет, а на а и d он возрастет.
224
17.86. Емкость системы (рис. 24): С
общ
A + (d-A)er
. Напряжен
ность в слоях: Еi=-p~- и Е2 — ^г~- Из условия CU = C\U\ =
а — п п
=C2U2 находим: Е
гги
и Ео =
г/
(d — /i)e r -f- h
ключения источника напряжения заряд Q
(rf — Л)^/- -J- h
EqVtSU
До
от*
И
распределен по поверхности с плотностью о , J ч
(а — л)ег Л
Пусть напряженность поля в воздушном и диэлектрическом
слоях после отключения конденсатора от источника тока
и внесения в конденсатор диэлектрической пластины
Е\=— и Ео=-^-. Считая поле однородным и размер
во ёо&г
пластин значительно большим, чем расстояние между ними,
и vr и
получаем Е\ — — и Е2=—.
а еГа
17.87. Qi
а
17.88.
О
F = ^^- = 22,13 мН.
17.90.
Ul
m 1
02
m2 4.л/2 + \
17.91. ф1 = т(,г~Д)
0,07.
Рис. 24
фоГ
если шар не переполнится жидкостью
прежде, чем зарядится до найденного предельного потенциала; ф2=^рг когда шар наполняется полностью
жидкостью. 17.92. п = 2пЕ°
Q
для случая Qmax>Q-
17.93. = Q,-Q);
4it V
Я*
Я,
225
8,9 мкДж.
a(a — n)
A= _^i(Ci—C2) = 4 кДж.
—l)«0,2 Дж; t/2=-£i-l/, = 1,5 кВ.
2 \ G? / Сг
A = 2dEQ. 17100-
17J01- 'v=£(sT-i)=20-3 "Д*-
Емкость С в обоих случаях уменьшается (увеличивается); U : 1) увеличивается (уменьшается), 2) £7 = const; W: 1) увеличивается (уменьшается), 2) уменьшается (увеличивается).
\W = -^ё>) (Лф| - Дф2)^ > 0.
AW = ~~%2\ - « 24 мДж, увеличится.
2(Ci -\-С2)
F = 192 фН; и> = -^-«16 мДж/м3.
2
—99,5 мкДж. До и после раздвижения
плотность энергии w не изменилась и равна w ““^ГРо(~^")2 ~
^ 25 мДж/м3.
С = 17,7 пФ; Q = 5,3 нКл; AU = 0,6 кВ;
W1 = 0,8 мкДж; W2 = 2,4 мкДж.
(и) ^4г==0,7 мкм/с.
Q = -~/t = 50 Кл.
v = I/(Sne)zz 1,3 мкм/с.
/=10 A; if = 122 В; R = 121,8 Ом; /кз = 610 A; t/ = 0.
Iпарал=== 0,96 A; /, = 1,52 А; /2 = 2,48 А; /послед = 1,71 A.
U= 1,5 B.
Д-R = Rti — Rti = ap-^t2 — fi)«18,5 мОм.
(J
t = 2294,5 °C.
MJ = U——.
(Я,+Д2)(Я3 + Я4)
r = 2R; Добщ = 4Д.
U=V/3 = 3 В.
а) Яо6щ = 0,5 Ом; б) Довщж0,3 Ом.
226
a) Rab— 6) Rab— B) Rab —
a) Ratt = 0,6 Ом; б) Д«,= 2,0 Ом; в) Дш/ = 1,3 Ом; г) Д<,/> = = 1,0 Ом; д) Rac = 1,4 Ом; е) Да1 = 1,8 Ом; ж) Rab~ 0,5 Ом.
Добщ = 2,7 Д.
/= ЗА.
В 10 раз. Параллельно соединенные реостаты включить параллельно прибору.
^ |Д*(Дз“hДI) = &2Ri/(R2“ЬДО-
h = 1,0 А; /2 = 0,8 А; /3 = 0,2 А.
\f = 10-'Д2С.
\Q~CW~= 83 мкКл.
Л } +
Q = CU-
Д I +Яг
Д| = 18,8 Ом; Д2 = 5,5 Ом.
7 = 2,5 А.
U '$; Uj\b~0*
Достарыңызбен бөлісу: |