Верный
|
11
|
Неверный
|
10
|
Неверный
|
-10
|
Неверный
|
-11
|
Неверный
|
9
|
Задание №7
|
Какая последовательность верна и соответствует рисунку:
|
Верный
|
1 Коллектор, 2 база, 3 эмиттер
|
Неверный
|
1 База, 2 эмиттер, 3 коллектор
|
Неверный
|
1 Анод, 2 база, 3 эмиттер
|
Неверный
|
1 База, 2 анод, 3 катод
|
Неверный
|
1 Эмиттер, 2 коллектор, 3 база
|
Задание №8
|
На рисунке изображена схема:
|
Верный
|
Неинвертирующего усилителя
|
Неверный
|
Интегрального усилителя
|
Неверный
|
Дифференциального усилителя
|
Неверный
|
Инвертирующего усилителя
|
Неверный
|
Компаратора
|
Задание №9
|
Для открытия биполярного кремневого транзистора между базой – эмиттером необходимо создать разность потенциалов, равную:
|
Верный
|
0.6-0.8В
|
Неверный
|
0.2-0.4В
|
Неверный
|
1-2В
|
Неверный
|
0.1-0.4В
|
Неверный
|
0.3-0.4В
|
Задание №10
|
Как называется транзистор, условное обозначение которого имеет следующий вид:
|
Верный
|
p-МОП транзистор с изолированным затвором обогащенного типа
|
Неверный
|
Полевой n-канальный транзистор с управляющим p-n переходом
|
Неверный
|
p-n-p транзистор обогащенного типа
|
Неверный
|
Полевой p-канальный транзистор с управляющим p-n переходом
|
Неверный
|
n-МОП транзистор с изолированным затвором обогащенного типа
|
Задание №11
|
Для открытия полупроводникового германиевого диода необходимо создать разность потенциалов между анодом - катодом:
|
Верный
|
0.2-0.4В
|
Неверный
|
0.6-0.8В
|
Неверный
|
1-2В
|
Неверный
|
0.9-1.25В
|
Неверный
|
1.45-1.55В
|
Задание №12
|
На рисунке изображен биполярный транзистор:
|
Верный
|
Обратный ( n-p-n)
|
Неверный
|
Прямой ( n-p-n)
|
Неверный
|
Обратный (p-n-p)
|
Неверный
|
Прямой (n –канальный)
|
Неверный
|
Однопереходный (n-p)
|
Задание №13
|
На рисунке изображено условно-графическое обозначение:
|
Верный
|
Полупроводникового диода
|
Неверный
|
Полупроводникового тиристора
|
Неверный
|
Полупроводникового симистора
|
Неверный
|
Светодиода
|
Неверный
|
Фотодиода
|
Задание №14
|
Для открытия полупроводникового кремневого диода необходимо создать разность потенциалов между анодом – катодом:
|
Верный
|
0.6-0.8В
|
Неверный
|
0.2-0.4В
|
Неверный
|
0.45-0.55В
|
Неверный
|
0.15-0.25В
|
Неверный
|
1-2В
|
Задание №15
|
Как называется транзистор, условное обозначение которого имеет следующий вид:
|
Верный
|
p-МОП транзистор с изолированным затвором обедненного типа
|
Неверный
|
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и p-каналом
|
Неверный
|
p-n-p транзистор с управляемым p переходом
|
Неверный
|
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом и n-каналом
|
Неверный
|
n-МОП транзистор с изолированным затвором обогащенного типа
|
Задание 1
|
Исследовать процесс преобразования АЦП входного синусоидального напряжения в цифровые коды, а затем с помощью ЦАП – в ступенчатое напряжение.
|
Контролируемые виды знаний
умений и навыков
|
Структурная схема АЦП последовательного действия
Основные параметры АЦП
|
Нормированное время выполнения,
мин
|
180 минут
|
Критерии оценки выполнения задания
|
Таблица с результатами измерений и расчётов входных отсчетов входного напряжения и выходных кодов АЦП
|
Технология выполнения задания
|
щёлкнуть мышью на кнопке "Синусоидальное напряжение" генератора ХFG1 и установить частоту напряжения fг = 25 Гц, а затем, при остановке моделирования, fг = 5 Гц с изменением времени развёртки лучей осциллографа с 10 мс/дел на 50 мс/дел. Сместить вверх на 0,6 деления осциллограмму входного напряжения uвх ;
измерить напряжение uвых(ЦАП) и высоту его ступеней в разные моменты преобразования и сравнить их с отсчётами напряжения uвх(kt) входного напряжения uвх для моментов положительного перепада тактового импульса синхронизации.
|
Перечень необходимого оборудования
|
лабораторный комплекс Labworks и среда МS10
|
Перечень расходных материалов
|
-
|
