5



Дата24.11.2022
өлшемі149,12 Kb.
#159743
Байланысты:
кен игеру, 5 дәріс Түзу, Мәдениет интеграциясы мен локализациясы-engime.org 2

ҚАЗАҚСТАН РЕСПУБЛИКАСЫНЫҢ БІЛІМ ЖӘНЕ ҒЫЛЫМ МИНИСТРЛІГІ
СӘТБАЕВ УНИВЕРСИТЕТІ

ЗЕРТХАНАЛЫҚ ЖҰМЫС №3

Тақырыбы: Биполярлық транзистордың статистикалық сипаттамасын зерттеу





Жұмысты орындау сапасы

Баға диапазоны

Орындалған
%

1

Орындалған жоқ

0%




2

Орындалды

0-50%




3

Материялдық өзіндік жүйелендіру

0-10%




4

Талап етілген көлемде және көрсетілген мерзімде орындау

0-5%




5

Қосымша ғылыми әдебиеттерді пайдалану

0-5%




6

Орындаған тапсырманың ерекшелігі

0-10%




7

СӨЖ-ді қорғау

0-20%







Қорытынды:

0-100%




Оқытушы:Базарбай Айдана
Студент:Барлық Ердес
Мамандығы:Иб
Мамандық шифрі: 6В06301
Алматы 2022 ж.
Жұмыстың мақсаты:

1. Тұрақты ток бойынша коллектор тоғына, база тоғының және база эмиттер кедергісінің тәуелділігін зерттеу.


2.Тұрақты ток бойынша күшейту коэффициентінің коллектор тогына тәуелділігін талдау.
3. Қанығу (отсечка) режимінде биполярлық транзистордың жұмысын зерттеу.
4. Транзистордың кіріс және шығыс сипаттамаларын алу.
5. Айнымалы ток бойынша жіберу/тарату коэффициентін анықтау.
6. Транзистордың динамикалық кіріс кедергісін зерттеу.

Транзистордың тұрақты ток бойынша статикалық жіберу коэффициентін анықтау

ЭҚК көзінің кернеуі Еб - 5.7 В
Транзистор базасының тогы Iб= 48.85 мкА
Транзистор коллекторының тогы Iк= 4.814мА
Uкэ коллектор-эмитент кернеуі= 10В
Статикалық беру коэффициенті DC = 98



ЭҚК көзінің кернеуі Еб – 2.68 В
Транзистор базасының тогы Iб= 18.90 мкА
Транзистор коллекторының тогы Iк= 1.821мА
Uкэ коллектор-эмитент кернеуі = 10В
Статикалық беру коэффициенті DC = 96
ЭҚК көзінің кернеуі Еб – 5В
Транзистор базасының тогы Iб= 41.9 мкА
Транзистор коллекторының тогы Iк= 4.118 мА
Uкэ коллектор-эмитент кернеуі = 10 В
Статикалық беру коэффициенті DC = 97
коллектордың кері тогын өлшеу
Iко коллекторының кері тогы= 10 мкА
Транзистор базасының тогы Iб= 0.000 мкА
Uкэ коллектор – эмитент кернеуі= 10 В


Транзистордың шығыс сипаттамасын алу ОЭ-мен схема








ЕК(В)

Еb (В)

IБ (мА)

0.1

0.5

1

5

10

20

1.66

0,010

0,27

1,341

1,350

1,424

1,515

1,702

2.68

0,020

0,509

2,950

2,970

3,131

3,332

3,734

3.68

0,030

0,759

4,584

4,615

4,865

5,176

5,802

4.68

0,040

1,005

6,224

6,267

6,605

7,027

7,873

5.7

0,050

1,252

7,884

7,937

8,366

8,901

9,972


.


Транзистордың кіріс сипаттамасын ОЭ-мен сызбада алу .



Еb (В)

IБ (мА)

UБЭ (мВ)

IК (мА)

1.66

0,010

674

1,515

2.68

0,020

695

3,332

3.68

0,030

707

5,176

4.68

0,040

715

7,027

5.7

0,050

722

8,901



Кіріс сипаттамасы бойынша базалық ток 10ма- дан 30 мА-ға дейін өзгергенде RВХ кедергісін табыңыз. Нәтиже "эксперимент нәтижелері" бөліміне жазылады.





5.Транзистордың кіріс сипаттамасын ОБ-мен сызбада алу .






Өлшеу нәтижелері бойынша есептеу – 100мА
Формула бойынша есептеу - rэ  25/Iэ
Iэ= 3.332 А rэ  7.5

Достарыңызбен бөлісу:




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет