Государственного педагогического

1. 
   Ж.Н. Нұрғалиев, С.Т. Төлеуханов «Эндокринология» Алматы «Қазақ университеті», 2002. 19-27 бет, 75-105бет, 116-131 бет, 150 бет.
   
2. 
   Ж.Б. Ахметов «Паталогиялық анатомия» Алматы «Экономика», 2012. 426-443 бет.
   
3. 
   О. А. Петришина, Е. П. Попова «Бастауыш мектеп жасындағы балалар анатомиясы, физиологиясы және гигиенасы», «Мектеп»1984. 173-бет.
   
4. 
   Х.Қ. Сәтбаева, А.А. Өтепбергенова, Ж.Б. Нілдібаева «Адам физиологиясы» 136-178 бет.
   
5. 
   Ж.К. Ермаханы «Тәнтану» Алматы «Білім», 2004. 293-299 бет.
   
6. 
   М. Дайырбекова «Адам анатомиясы» алматы, 2002. 95 бет.
   
7. 
   Қ.С. Рақымжанов, И.М. Төленбек «Адам және жануар физиологиясы» Алматы, 2000. 96-бет.
   
8. 
   Ж.Нұрғалиев «Эндокриндік жүйелер физиологиясы» Алматы, 2000. 56-бет.
   
9. 
   Т.Несіпбаев «Адам және жануарлар физиологиясы» Алматы, 2005. 131-бет.
   
10. 
    Р.К.Қуандықова «Жас өспірімдер анатомиясы физиологиясы және мектеп гигиенасы» Түркістан, 2002. 67-бет.
    
11. 
    А.Рақышов «Адам анатомиясы» Алматы 1995. 5-бет.
    

Қазақстан эндемигі, таралу аймағы шектеулі түрше, саны азайып барады. Жойылып кету қаупі бар.

Генофондысын сақтау үшін таксонның маңызы

Қазақстан фаунасындағы арқардың 5 түршесінің бірі.

Таралуы

Сырдариялық Қаратау. Бұрын бұл тауда кең тараған болатын; бүгінде оның орталық аласа тауларында кездеспейді. Арқарың солтүстік-батыс популяциясы мен оңтүстік-шығыс популяциясы арасындағы байланыс үзілді. ХХ-ғасырдың 80-шы жылдарына дейін Қаратаудың оңтүстік-шығыс жағына және оған көршілес жатқан Боролдай тауына Талас Алатауынан арқарлар қоныс аударатын. Бұл арқарлардың тяньшаньтүршесі. Осында арқардың екі түршесі араласып кетті. Сондықтанда нағыз қаратау арқары тек Қаратаудың солтүстік-батыс Жартысында тіршілік етеді.

ХХ-ғасырдың 40-шы жылдарына дейін Қаратауда арқар едәуір болатын, одан киін тау жайылымдрын шаруашылық үшін игеру оның санын азайтып жіберді. 1976 жылы таудың солтүстік-батыс бөлігінде 17.7 мың гектар жырде 27 арқар есепке алынса, 1979 жылы. 5 мың га жерде – 10, ал 1981-1982 жж. 100 мың га жерде – 60-70 арқар саналды. 1990 жылдың қазан айында солтүстік-батыс Мыңжылқы тауында 100 шаршы шақырым жерде 11 арқар, ал 1993 жылы наурыз айында осындай көлемді жерден 7-ақ арқар саналған. 1998 жылдың ақпан-наурыз айларында 77.6 мың га жерден 35 арқар есепке алынған. 1976 жылы арқардың жалпы саны 150-дей болса, ал қазіргі уақытта бұл көрсеткіш – 100-дей ғана.

Негізгі шектеуші факторлар

Браконьерлік, үй малдарының ығыстыруы, қасқырлар.

Биологиялық ерекшеліктері

Үйірлі жануар. Бір жерде тұрақты тіршілік етеді; алысща онша қоныс аудармайды. Таңертеңгілік және кещкілік жайылады. Күйлек – қазан-қараша айларында, шөлдеуі-наурыздың аяғы мен мамыр айында. 1-2 қозы туады. Негізгі азықтары - әртүрлі шөптер; қыста дәнді шөтермен қияқтармен, жусандармен қоректенеді. Күздік астықтарды да азық етеді. Бәсекештер – үй малдары, әсіресе қойлар. Жаулары – адам, қасқыр. Қозыларына түлкі де қауіпті.

Қолда өсіру

Мәлімет жоқ. Қазақстан хайуанаттар паркінде де ұсталмайды.

Қабылданған қорғау шаралары

Халықаралық табиғат қорғау Одағының Қызыл кітабына енгізелген. Сондай-ақ «Жойылып кету қаупі бар жануардар мен өсімдіктер түрлерімен Халықаралық сауда жасау Конвенциясының» 1-ші қосымшасына кіргізілген. Қаратау қорығында қорғалады.

Қажетті керек шаралары

Ерекше қорғалатын табиғи территориялар ұйымдастыру керек. Ормандар мен жануарлар дүниесін қорғау басқармалары мен аңшылық шаруашылықтарында қаратау арқары сияқты жануарларды қорғау жұмыстарын жақсарту жөн. Қаратау арқарын көбейту үшін Орталық қыруда қажет.

Зерттеу үшін ұсыныстар

Қаратау арқарын мониторинтік бақылау

1.      Ковшарь А.Ф., 1977. О численности и мерах по сохранению архара в заповеднике Аксу-Джабаглы. В кн. Редкие и исчезающие звери и птицы Казахстана. Алма-Ата, с. 96-97.

2.      Мельников А.В., 1980. Динамика численности тяньшанского горного барана в заповеднике Аксу-Джабаглы. В сб. Копытные фауны СССР. М., с.181-182.

3.      Шапошников Ф.Д., 1956. Горные бараны Западного Тянь-Шаня. Ж. Природа, № 1,

с. 109-110.

4.      Цалкин В.И., 1951. Горные бараны Европы и Азии. М., Изд. МОИП.

5.      Shakula V., 2001. Population status and taxonomic problems for Caprinae in

Western Tien Shan and Kizil-kum Desert. Newsletter of the IUCN/SSC Caprinae

Жасалу технологиясына қарай интегралдық микросұлбалар шала өткізгішті және гибридті болып бөлінеді. Шала өткізгішті интегралдық микросұлбаларда оның барлық элменттері және оларды жалғау шала өткізгіш материалдың ішінде немесе үстінде орындалады. Шала өткізгіштің үсті диэлектрик болып есептелетін силицийдің қос тотығымен жабылған ,ал элементтердің арасындағы изоляция міндетін р-түрлі силиций атқарады.

Элементтер металл қабықшаларымен жалғанған. Шала өткізгіштің көлемі ішінде диодтарды, транзисторларды, резисторларды және конденсаторларды жасауға болады. Конденсаторлардың сыйымдылығы ретінде р-n өтпесінің сыйымдылығы пайдаланылады. Шала өткізгішті интегралдық микро-сұлбаларды жасау технологиясы өте күрделі және көп қаржы жұмсауды талап етеді. Сондықтан оларды пайдалану өте көп мөлшерде шығарғанда ғана тиімді болады. Гибридті интегралдық микросұлбаларда резисторлар, конденсаторлар мен индуктивті шарғылар төсеніштің үстіне әр түрлі әдіспен жұқтырылатын қабықшалардың көмегімен орындалады да, ал шала өткізгішті аспаптар төсенішке жеке-жеке бекітіледі. Осылайша дайындалған интегралдық микросұлбалар қорапшаның ішіне орналастырылады да, ал сыртына керекті ұштары ғана шығарылады. Гибридті интегралдық микросұлбалардың жасау технологиясы шала өткізгішті интегралдық микросұлбалардың технологиясына қарағанда оңай, элементтерге параметрлер беру дәлдігі жоғары, бағасы арзан. Бірақ массасы және көлемі үлкен де, интеграциялық дәрежесі төмен [1. 10б.].

Қазіргі интегралдық микросұлбалардың интеграциялық дәрежесі өте жоғары және функциялық қолданымы жан-жақты болып келеді. Интегралдық микросұлбалардың басты кемшілігі: 1) берер қуатының аздығы, шамамен, 50....100 мВт; 2) сұлбаларда әр түрлі элементтер болуы мүмкін. Бірақ әртүрлі элементтердің болғанына қарамастан олардың бір ғана транзисторлық технологисы өндіріске өте тиімді. Енді осы транзисторлық технологиямен жасалған бір сұлбаны мысалға алып көрсетейік.

Мұны 1-сурет бойынша түсіндіруімізге болады. Суретте көріп отырғанымыздай, сол жақта жасалған р-n ауысуы сыйымдылық рөлін атқарса, оң жақтағы р-n ауысуының р аймағы кедергі рөлін атқарады. Суреттің орталық бөлігінде диод пен транзистор орналасып, олардың өзара жалғасуы металл қабыршағымен, ал бір-бірімен алшақтануы тотық қабыршағымен қамтамасыз етілген. Мұндайда арнайы диэлектриктер іздеп, оның жасалу жолдарын талдап жатпай-ақ, кремнийдың өз тотығын пайдалану өндірісте өте пайдалы.

Қарастырылған монолиттік ИС-ның биполярлық транзистрының жасалу жолдары 2-суретте толығырақ көрсетілген. Осы технологиялық цикл бойынша бірінші кезекте Si бөліктері SiO –ден босатылып (фотолитография әдісімен), ол жерге диффузия арқылы басқа түрлі жартылай өткізгіш ендіріледі. 3-суретте алынған құрылымының бетіне эпитаксиялық, жоғары кедергілі қабат n-эпи өндіріліп, алынатын транзистор құрылымы қалған ортадан бөлу диффузиясының көмегімен оқшауланып бөлінеді.

Жоғарыда қарастырылған ИС-ны монолиттік дедік. Ал әр түрлі технологиялық әдістерінің күшімен тағы қандай ИС түрлерін алуға болады? Әрине, бірден ойға келетіні элементтерді жұқа қабыршық ретінде жасап тозаңдатсақ, сол металдың қасиетіне сәйкес белгілі бір кедергі алмаймыз ба?Осы металл қабыршағының әрбір квадратының, үлкенді-кішілігіне қарамастан, белгілі бір кедергісі болады екен. Олай болса осы квадраттарды қатарлап қоя отырып, қажетті кедергінің шамасын алуға болмас па екен? Мысалы, хром квадратының кедергісі 0,5 кОм.Егер бізге 10 кОм резистор керек болса, біз осы хром квадраттарының жиырмасын қатар қоюымыз керек. Ал осы жиырма шаршыны өзара қалай орналастырамыз? Қалай орналастырсақ тиімді болар еді? Бұл бізге қойылған келесі сұрақтың белгісі: орынды аз алу үшін оларды бірнеше қатар етіп немесе иректей орналастыруымызға болады.

Екі металл арасына диэлектрлік тозаңдатып, олардың ток тізбегін шығарсақ, конденсатор құрылымына келеміз, ИС-ларда конденсаторлар осылай да жасалынады. Байқап отырғанымыздай, шамасы үлкен кедергілер мен сыйымдылықтар жасау үшін кристалл бетінен көп орын алуымыз керек. Бұған индуктивтік жасаудың бір мақсаты, аз аумақты электрондық аспаптар жасау екенін есімізге алсақ,онда мынадай жалпылама тұжырымға келеміз: интегралдық сұлбалар дайындауда үлкен шамалы кедергілер, сыйымдылықтар және индуктивтіктер жасау интегралдық электроникаға өте тиімсіз. Қабыршақтық ИС-лар қабыршақ қалыңдығына байланысты екіге бөлінеді: жұқа қабыршақтық және қалың қабыршақтық.

Жұқа қабыршақтық ИС-лар жоғарыда айтылған тозаңдату тәсілімен жасалады. Ал қалың қабышақтық ИС жібектендіру тәсілімен жасалады. Соңғы әдістің мағынасы жібек мата үстінен сұйытылған металл массасы құйылып, матадан өткен массаның қабыршақ күйінде кристалл бетіне қонуында. Жұқа қабыршақ беретін тозаңдату әдісіне қарағанда қарапайым бұл әдіс өзіне сәйкес қалың қабыршақ қалдырып, сапасы шамалы элементтер береді [2. 137б.].

Қабыршақтық ИС дайындауға ең бір қиында, жауапты да іс-диод пен резисторлар жасау. Қаншама транзистор түрлері қарастырылғанмен, осы уақытқа дейін, дәйекті бір қабыршақтық транзистор жасалды деп айтуға болмайды. Осы жағдайда ИС-лардың гибридтік деген тағы бір түрінің пайда болуына әкеп соқты. Оның ерекшелігі-кедергі мен сыйымдылықтардың қабыршақ түрінде жасалынып,ал транзисторлар мен диодтардың жеке дара ілініп,кристалл бетінде орналасуында.

Интегралдық сұлбалардың транзисторлық технологиядан ауытқуына қарамастан, гибридтік деп аталған осы ИС өзінің элементтерінің жоғары сапалылығына байланысты өндірісте, әсіресе аз сериялы арнайы сұлбаларда жиі-жиі қолданылып жүр. Оның себебі,өзінің жасалуында күрделі құралдар қажет етпеуі [3. 256б.].

ИС-лардың келесі түрін біріктірілген деп атайды. Оның себебі, жартылай өткізгіштік электрондық аспаптар кристаллдың ішінде жасалынып, ал кедергі, сыйымдылық сияқты элементтер кремний кристалының бетінде, қабыршақ күйінде орналасады. Осының арқасында біріктірілген ИС-лар монополиттік ИС-лардың да,қабыршақтық ИС-лардың да артықшылығына ие болады. ИС-лардың пайдаланылған элементтеріне қарай биополярлық және униполярлық болып бөлінетінін де ескерген жөн. Өрістік транзисторлардың ерекшеліктерін еске түсіре отырып, униполяр ИС-лардың аумағының аз,ал жасалу технологиясының оңай екенін білуімізге болады. Сондықтан да кейінгі шығып жатқан ИС-лар негізінен униполярлық болып табылады. Болашағы бар ИС-лар қатарына интегралды инжекциялы логикалық схемалары жатады. Олардың артықшылығы – өте төмен деңгейлі ток көздерімен жұмыс істей алатындығы.

Күрделілігіне қарай ИС-ларды кіші, орта, үлкен, өте үлкен деп те жіктеуге болады. Бұлай болып бөлінуі интеграды микросұлбалардың ішіндегі қарапайым элементтер санына байланысты. Мысалы, интегралды микросұлбалардың ішіндегі элементер саны 10-ға дейін болса, ол кіші ИС-лар қатарына жатады, ал егер 100-ге дейін болса, орта, 1000-ға дейін болса, үлкен, ал егер 1000-нан асатын болса, өте үлкен интегралды микросұлбалар қатарына жатады. Әрине, бұл бөлініс шартты түрде көзге көрінетіндей етіп жасалынған [5, 101б.].

Жартылай өткізгішті микросұлбалардаы жасау үшін монокристалды кремний қажет керек деп айтқан болатынбыз. Енді соларды жасау үшін оның құрамында бор, сурьма, фосфор, алюминий, мышьяк, алтын болу керек. Олардың қолданылуы кезінде құрамы өте таза болуы қажет. Құрамы бойынша оларға мынадай міндеттер қойылған: біріншіден, олар өте төзімді болу керек, екіншіден, химиялық реганаттарға қарсы тұруы қажет. Сол себепті әр құрылымның құрамын, төзімділігін дұрыс есептеп, біліп отыруымыз қажет. Бұл үшін мына кестені қолданамыз:

Интегралды микросұлбаның қазіргі таңдағы жабдықтарға сәйкес келуі мына параметрлердің негізіндн жасалу қажет:

Гибидті микросұлбаның өлшемі 16х8х3 мм.

Ішкі әсеріне сипаттама: қоршаған ортаның тұрақты температурасы +40±10 С;

Салыстырмалы ылғалдылығы 30...85% мынадай температурада +25 С;

Тербелмелі жүктемесі 10-2000 Гц жоғарғы жүктемемен 10-20 g;

Ауаның қысымы 85,0...106,7 кПа (650...80мм. сын. бағ.) [4. 142б.].

(1-сурет. 1-бетке 5-абзацтан кейін)