125
2
4
2
2
Si
h
OH
SiO
H
,
где
e
- электроны,
h
- дырки.
3- слой естественного окисла. 4-анодный окисел, образующийся под зондом. На
начальной стадии процесса электроны туннелируют с зонда на подложку через
слой естественного окисла. Ионы
H
и ионы
OH
, которые образуются в
мениске в результате гидролиза воды и двигаются сквозь оксид под действием
электрического поля. На поверхности раздела
2
/
Si SiO
ионы
OH
реагируют с
дырками
h
. Доставка воды в зазор между зондом и подложкой осуществляется
под действием электрического поля с напряженностью
7
10
/
E
B cm
. Поле
оказывает ориентирующее действие на полярные молекулы воды, что приводит
к локальному снижению давления насыщенны паров
2
H O
, пресыщению паровой
фазы и доставке воды в мениск.
Процесс окисления идет вглубь подложки. Из-за присутствия кислорода
объем окисленного вещества больше исходного объема. Окисленные линии
разбухают и выступают над поверхностью на несколько нанометров. Это
позволяет видеть окисление с помощью АСМ.
Рис. 2.23. Надпись на поверхности кремния.
а
- выступы после анодного травления, б -
впадины после избирательного травления окисла, в - массив точек окисла. [6]
На рис. 2.23.а представлена надпись сделанная проводящим зондом АСМ.
На рис. 2.23.
Достарыңызбен бөлісу: