352
13.4.
Эмиттер
База
Коллектор
13.9-
сурет
қолданылатын
аспаптар болып есептеледі. Стабисторлар 100 мА
дейінгі токта 1
-
2 В кернеуді тұрақтандыру үшін пайдаланылады.
БИПОЛЯРЛЫҚ
ТРАНЗИСТОРЛАР
Биполярлық транзисторлардың жұмысы жақын орналасқан екі
p-n
-
өткелдердің өзара әрекеттесу құбылыстарына негізделген.
Биполярлық транзистордың идеалды моделі үш
қабатты
n-p-n
немесе
р-n-р
типті құрылымы болып есептеледі (13.9
-
сурет). 13.10,
а
және
б
суреттерінде осы транзисторлардың шартты белгілері берілген.
Транзистордың
биполярлық
деп аталуының себебі
–
онда физикалық
процестер екі белгідегі зарядтардың (бос кемтіктер мен электрондар)
қозғалысымен байланысқан.
Биполярлық транзистордың ортаңғы қабаты Б
база
деп, бір шеткі
қабаты К
коллектор
, екінші шеткі қабаты Э
эмиттер
деп аталады.
Әрбір
қабатың шықпасы болады, соның көмегімен транзистор
тізбекке қосылады. Биполярлық транзистор шықпаларының
арасындағы кернеулердің полярлылығына байланысты ол әртүрлі
режимдерде жұмыс жасайды.
Биполярлық транзистордың төрт жұмыс режимі болады:
■
активті режим
, онда
эмиттер өткелі
–
база тура бағытта,
ал коллектор өткелі
–
база
кері бағытта қосылған;
■
инверсті режим,
онда эмиттер өткелі
–
база кері бағытта,
ал коллектор өткелі
–
база тура бағытта қосылған;
■
қиылу режимі
–
онда екі өткел де кері бағытта қосылған;
353
\n-p-n
|
Б
13.10-
сурет
■
қанығу режимі,
онда екі өткел
де тура бағытта қосылған.
Егер
транзистор
сигналдарды
күшейту үшін
қолданылса, онда оның
активті жұмыс режимі негізгі болады,
егер
кілт ретінде қолданылса, онда
қиылу және қанығу режимдері негізгі
болады.
Тұрақты Е
э
= U
эб
ЭҚК көзінің оң
полюсін базаға
қосқан кезде база мен
эмиттердің арасында
p-n
-
өткелдің (13.9
-
суреттегі
n-p-n
-
транзистор
) потенциалдық тосқауылы төмендейді. Бос
электрондар эмиттерден базаға инжектрленіп, эмиттер тізбегінде
І
э
тогын тудырады.
Егер коллектор мен базаның арасында тұрақты Е
к
= U
кб
ЭҚК көзі
базаға теріс полюспен қосылса, онда база мен коллектордың арасында
p-n
-
өткелдің потенциалдық тосқауылы ұлғаяды.
Эмиттерден базаға инжектрленген
электрондардың басым бөлігі
коллектор тізбегінде
І
э
тогын тудырып, осы
p-n
-
өткелдің кернеулігі
ɛ
КБ
күшті электр өрісімен тартылады. Эмиттерден базаға инжектрленген
электрондардың болмашы бөлігі база тізбегінде тізбегінде
І
Б
тогын
тудырады.
Қаралып отырған жағдайда база кіріс
және шығыс тізбектердің
ортақ электроды болып табылады. Биполярлық транзисторды қосудың
мұндай схемасы
ортақ базалы
(ОБ) схема деп аталады. Биполярлық
транзисторды қосудың
ортақ коллекторлы
(ОК) және
ортақ
эмиттерлі
(ОЭ)
схемалары да болуы мүмкін.
Соңғысын
n-p-n
-
транзистор
мысалында
толығырақ
қарастырамыз,
себебі
транзистордың осындай қосу кезіндегі сипаттамалары оның
жұмысының негізгі тыныштық, төмен сигнал және кілттік режимдерін
талдау үшін пайдаланылады.
Достарыңызбен бөлісу: