Дала транзисторлары
Хейл Оскары немiс физик 1934 жылға дала транзисторын патенттады (3.4-ші сурет).
3.4-сурет – Дала транзистор
Көмегiмен өткiзушi каналдың өткiзу қабiлетiнiң өзгерiсiмен өндiрiп алатын үш электродты жартылай өткiзгiш құралдар деп аталады.
Дала транзисторлары бiр полюсты деп аталады, олардың жұмысы өйткенi бiр таңбаның зарядының сақтаушыларының дрейфiнде pның nның басқарылатын каналы арқылы негiзделген - немесе - түр. Тоқпен басқару канал арқылы электр өрiсiсiмен iске асады, екi полярлық транзисторы тоқ емес. Мұндай транзистор-дала сондықтан деп аталады.
Каналға зарядтың негiзгi сақтаушылары кiретiн электрод бастаулармен деп атайды және каналдардан зарядтың сақтаушылары арқылы жүретiн әрiп И электродпен науалармен деп атайды және электрод әрiп С бағдарлаушылармен белгi қояды затворлармен деп атайды және З әрiптерiмен белгi қояды.
Демек, затвормен және бастау қосымша тiркелген кернеудiң мәндерi Дала транзисторлары немiске каналдың өткiзу қабiлетi және тоқ күшiне тәуелдi болады екi топта бөлуге болады: өткелмен бағдарлаушы p-nмен дала транзисторлары, шеттетiлген затвормен дала транзисторлары.
Каналдың өткiзу қабiлетi электрондық немесе жыртық бола алады. Егер канал электрондық өткiзу қабiлетi болса, онда ол nның каналымен деп аталады - түр. Жыртық өткiзу қабiлетiмен каналдары pның каналдарымен деп аталады - түр.
3.5-шi суретте өткелмен бағдарлаушы p-nмен дала транзисторларының шартты график түрiнде белгiлерi елестеткен.
n-түрның каналымен дала транзисторы
р-түрның каналымен дала транзисторы
3.5-сурет – Шартты график түрiнде белгiсi өткелдiң бағдарлаушы p-nмен дала транзисторларының
Шеттетiлген затворы бар дала транзисторы - бұл затворы диэлектриканың жiктi каналынан электр қатынасында бөлiнген дала транзисторы. Мұндай құралдардың негiзгi элементi (МДП) металл құрылымы болып табылады. Мысалы, туралы ретiнде диэлектриялық - металлмен және жартылай өткiзгiштiң аралығында қабаттар кремнидiң оксидiнiң оксидтерi жиi жiктi пайдаланады. Мұндай құрылымдар МОП атауларды тасысады - құрылымдар. Металлдық затвор вакуум шашыратуымен диэлектриктерге әдетте келтiредi.
3.6-шi суретте шеттетiлген затворы бар дала транзисторларының шартты график түрiнде белгiлерi елестеткен.
n-түрның каналы бар шеттетiлген затвормен дала транзисторы
р-түрның каналы бар шеттетiлген затвормен дала транзисторы
3.6-сурет – Шартты график түрiнде белгiсi шеттетiлген затворы бар дала транзисторларының
Өткелмен бағдарлаушы p-nмен дала транзисторының жұмыс принцибын қарап шығамыз (3.7-шi сурет).
Егер затвордағы кернеудi үлкейтсе, онда жабатын қабат бүйiрленедi және каналдың көлденең қимасының ауданын азаяды. Тұрақты тоққа R0 оның кедергiсi өседi және iс iнiң науасының тоғын азаяды. Жабатын қабат және каналдың көлденең қимасының ауданы затвордағы кернеулерi кiшiрейтуде жұқалау үлкеетiн болып қалыптасады. Тұрақты тоққа R0 нiң оның кедергiсiн азаяды және iс iнiң науасының тоғы үлкеедi
3.7-сурет – Дала транзисторының жұмыс принцибы өткелмен p-n бағдарлаушы
Өткелмен бағдарлаушы p-nмен дала транзисторының құрылымы 3.8-шы суретте елестеткен.
Өткелмен бағдарлаушы p-nмен дала транзисторы - бұл затворы өткелдi p-nның каналынан қамаған дала транзисторы жылжытқан - керi бағыттағыным.
3.8-сурет – Дала транзисторының құрылымы өткелмен p-n бағдарлаушы
Каналға дала транзисторының жұмысының басқарулары үшiн бастау қарағанда терiс кернеудi әпередi.
Достарыңызбен бөлісу: |