В. А. Корнев, К. А. Елеусизова аналогты қҰрылғылардағы элекроника мен сұлбатехника 5В071900 «Радиотехника, электроника мен телекоммуникациялар»

Жартылайөткізгіштік диод – бір p-n-ауысуы және екі шығарылған өткізгіші бар, жартылайөткізгіш материалдың конструкциялық безендірілген көлемі (10 сурет).

10 Сурет – Жартылайөткізгіштік диодтың белгіленуі

Диодтардың көпшілігі симметриялық емес p-n-ауысудың негізінде жасалады. Диодтың жоғары легирленген аймағы анод деп, ал төмен легирленген аймағы катод деп аталады. Симметриялық емес p-n-ауысу базаға орналастырылады.

11 Сурет – Идеал және реал диодтың ВАС-ы

12 суретте жоғары кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы келтірілген. Бұл жерде R_б>>R_э, R_en- аймақтар арасындағы p-n-ауысу бетінің кедергісі.

12 Сурет – Жоғары кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы

13 суретте төмен кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы келтірілген. Бұл жерде R_pn – диодтың жұмыс бөлігіндегі дифференциалдық кедергісі, С_pn – диодтың жұмыс бөлігіндегі сиымдылығы.

13 Сурет – Төменгі кернеулердегі диодтың эквиваленттік схемасы

Жартылайөткізгіштің температурасы жоғарылаған сайын ондағы негізгі емес заряд тасымалдаушылардың саны өседі, яғни p-n ауысдағы J₀ жылулық ток та өседі. Бұл диод ВАС-ының тура және кері тармақтарына өз әсерін тигізеді (14 сурет).

14 Сурет – Диод ВАС-ына темпераутраның әсері

14 суретте көрініп тұрғандай, температура жоғарылағанда диод ВАС-ының тура тармағы солға қарай ығысады. Бұл диодтың кернеудің температуралық коэффициентімен (КТК=-2,3мв/с⁰) сипатталады.

1. 
   Түзеткіш;
   
2. 
   Импульстік;
   
3. 
   Стабилитрондар;
   
4. 
   Варикаптар;
   
5. 
   Туннельдік.