Сабақтың мақсаты: а эмитерлік қосу схеманы зерттеу; ә статикалық сипаттамаларын құру

жүктеу/скачать 31,16 Kb. Дата 02.10.2023 өлшемі 31,16 Kb. #183346 түрі Сабақ

Бұл бет үшін навигация:

• Қажетті құралдар мен жабдықтар
• Есептеулік тапсырма
• Зертханалық стендтің мазмұны
• Жұмыстық тапсырма
• Бақылау сұрақтары

№3 зертханалық жұмыс. Тақырыбы: IGBT транзистордың сипаттамалары мен параметрлерін зерттеу. Сабақтың мақсаты: а) эмитерлік қосу схеманы зерттеу; ә) статикалық сипаттамаларын құру. Қажетті құралдар мен жабдықтар: «Электроника негіздері» курсы бойынша зертханалық стенді, радиоэлементтер жинағы Жұмысты орындау тәртібі 1-сурет тапсырманың барлық нүктелері берілген. ОЭ схемаларына арналған эксперименталдық схема. 2.1-сурет Схема ішіндегі жалпы элементтермен берілген кіріс және шығыс сипаттамаларын зерттеу. 1 Сурет- Биполярлық транзистордың ОЭ схемаларына қосылған эксперименталдық схема 2 – тапсырмаларға. Кіріс сипаттамасын және тоқ арқылы тура ауысу сипаттамасын коллекторлық 0 және 5 В-тік кернеудің мағынасы үшін түсіреді. 1 К е с т е UБЭ,В IБ, mA UКЭ=0 UКЭ=5В 3– тапсырмаға. ОЭ схемасы үшін шығу сипаттамасы базалық тоқтың келесі мағыналарында түсіріледі: 1=0; 0,05мА; 0,075мА; 0,1мА 2 К е с т е UКЭ, B IК, mA егер IБ=0 егер IБ=50мкА Егер IБ=75мкА Егер IБ=100мкА 4.-5– тапсырмаларға. 4 және 5 нүктелерін орындағанда оқулықтар және конспектерден алынған анықтағыш әдістемесі және параметрлер есептеуіш формулаларын қолдану қажет. Дифференциалдық режимде жұмыс істейтін осциллографтың көмегімен R5 кернеуін өлшей отырып, коллектор тоғын анықтаңыз. Формула бойынша 1К мағынасын есептеп, нәтижесін 2.3 кестесіне жазыңыз. 3 К е с т е Есептеулік тапсырма Оқытушының тапсырмасына сәйкес берілген сипаттамалар бойынша жұмыс нүктесі үшін һ-параметрлерін анықтаңыз. һ-параметрлері арқылы Т-типтік баламалық схемасының параметрлерін есептеңіз. Шығыс сипаттамаларының топтары бойынша (β) тоғының күшеюін анықтаңыз. Транзистордың төл құжаттық мәліметтерін қолданып, бөлме температурасының ең жоғарғы температурасына дейін көтерілген кезіндегі тоқтың күшею коэффициентін есептеңіз.  Зертханалық стендтің мазмұны ЕВ-111 панелді негізгі шала өткізгішті элементтер (диод, стабилитрон, биполярлық транзистор) арқылы құрылған 6 схема орналасқан. Панелдің жоғарғы шетінде баспалық схеманың қосқышы орналасқан. РU–2000 элементінде ол бас қосқышқа жалғанған. Тұтынылатын кернеу қорегі панелге осы қосқыш арқылы барады. ЕВ-111 панелінде бақылау нүктелері және түпшелер көптеп саналады. Штепсельдік қосылғыш пен қысқартылған штекерлері бар жалғауышты өткізгіштер арқылы осы нүктелермен, түпшелермен схемаларға өзгерістер енгізілуі мүмкін. PS -1, PS-2 реттелетін тұрақты тоқ көзімен платаның қоректенуі жүзеге асырып отырады. Жұмыстық тапсырма 1. PS-1 тоқ көзі арқылы берілетін, түрлі коллекторлық кернеу кезіндегі схемалар үшін кіру сипаттамаларының тобын түсіру. 2. Түрлі коллекторлық кернеу кезіндегі ОЭ үшін тоқ бойындағы ауысудың сипаттамаларының тобын түсіру 3. Әртүрлі кіріс тоғындағы ОЭ үшін шығыс сипаттамаларының тобын түсіру: база тоғы (кедергіні) өзгермелі резистордың мағынасының өзгеруі арқылы беріледі. 4. Әртүрлі жұмыс аумағын белгілеңіз: қанығуының, транзистордың шығу сипаттамаларының тобы арқылы қиылуы. 5. тәуелділігін түсіріңіз, алынған нәтижелерді кестеге жазыңыз. Бақылау сұрақтары 1. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу қағидасы. Ондағы физикалық процестер. 2. Транзисторларды қосу схемалары: ОЭ,ОБ, ОК. Оның салыстырмалы сипаттамалары. 3. Транзистордың қосылым схемасы бойынша статистикалық параметрлері: ОБ, ОЭ кіріс, шығыс, тоқ таратым коэффициенті, кернеулік кері байланысы. 4. Z, y, h - параметрлерінің жүйелері, Z, Y - параметрлерінің кемшіліктері h- параметрлерін анықтау әдістері. 5. Транзистордың Т-тектес баламалық схемасы. Һ – параметрлер және Т-тектес баламалық схемалардың (физикалық параметрлердің) байланысы. 6. Транзистордың р-п ауысу жайма ( ) және тік учаскелердегі шығу сипаттамасы арқылы кернеуді белгілеңіз. 7. Формуласыз түсіндіріңіз: неліктен  транзистор негізіндегі тоқтың өсуі коллектордың тоғының өсуіне әкеледі. 8. Жұмыстың кілттік режімі. Негіздегі артық зарядтың ыдырауы. Импульстік транзисторлар. жүктеу/скачать 31,16 Kb. Достарыңызбен бөлісу: