«ІЛИЯС МҰРАСЫ ЖӘНЕ АЛАШТАНУ МӘСЕЛЕЛЕРІ» атты республикалық ғылыми-тәжірибелік студент жастар конференциясының материалдары 162
Cуpeт 1 – Тұpaқты тoктa мaгнeтpондық жiктeу жүйeciнiң cүлбeci.
1 – тoзaңдaту кaмepacы, 2 – төceнiштi ұcтaғыш, 3 – төceнiш, 4 – aнод, 5 – ныcaнa, 6–
aнoдтың тeфлондық ұcтaғышы, 7 – мaгнит, 8 – гaз жiбepiлeтiн түтiкшe, 9 – тұpaқты тoқ көзi,
10 – copу түтiкшeci.
Күн энергиясын электр энергиясына айналдыру экономикалық тұрғыдан өзекті
мәселе болып табылады. Әсіресе көміртек легірленген аморфты кремнийден жасалған күн
элементтерін энергетика саласында пайдалану жақсы жолға қойылған. Тәжірибеден
алынып, зерттелетін а-Sі:С:H қабықшасы күн элементінің бір қабаты болып табылады,
сондықтан осы қабықшаны зерттеудің маңызы зор. а-Sі:С:H қабықшасы тұрақты тоқтың
күлгін разрядында кремний және көміртектен жасалған нысананы аргон және сутегі
қоспасымен магнетрондық әдіс арқылы соқылай отырып алынатын атомдарды араластырып
қыздырылған төсенішке орналастырылады. Тәжірибе ВУП-5 әмбебап камерасында
орналасқан үш электродты магнетрондық жүйеде жасалынды.
Кремний, шыны, кварц төсеніштерінің температурасы 1000С-3000С аралығында
өзгертілді. Температура хромель-алюмель термопарасы арқылы өлшенді. Орналастыру
процесіне қажетті қуат тұрақты токтың коректендіру көзінен берілді. Оның кернеуі 400-600
В тогы 20- 30 мА шамасына тең. Осының нәтижесінде күлгін разрядта алынған радикалдар
(С, H, С-H, С-H2, С-H3,), (Si2-H2,Si-H,Si-H2,,Si-H3,) плазмада қосылып қыздырылған
төсенішке орналастырылады. Қабықшалардың беттік құрылымы атомдық - күштік
электрондық микроскопия арқылы зерттелді. Жоғары температурада орналастырылған a-
Si:C:H қабықшаларының беті тегіс, ал төменгі температурада алынған қабықшаларда тік
өскен діңгекті кеуек құрылым байқалады ( 1-сурет) а-Sі:С:H қабықшалардың негізгі
құрылымдық және оптикалық қасиеттері рамандық спектрлік әдіспен зерттелді. a-Si:C:H
қабықшасының комбинациялық шашырау спектрі 2-суретте көрсетілген. Бұл суреттегі 1100
см-1 шыңы (Si-C ) кремний мен көміртек байланысын сипаттаса , 1400 см-1 и 1600 см-1
сәйкес шыңдар (С-С) көміртек пен көміртек байланысын көрсетеді, 2100 см-1 әлсіз шың
(Si-H) кремний мен сутек байланысын, 3000 см-1 маңындағы жалпақ шың С-Н көміртек пен
сутек байланысын анықтайды. Соңғы екі шың a-Si:C:H қабықшасының аморфты екендігіне
дәлел.
1-сурет 2 -сурет
