1. Кіріспе Пәннің мақсаты мен мазмұны Кристалдардың құрылымы


Лекция 12. Факторы, влияющие на интенсивность дифракционных максимумов



бет21/28
Дата29.10.2022
өлшемі1,81 Mb.
#155582
түріҚұрамы
1   ...   17   18   19   20   21   22   23   24   ...   28
Байланысты:
357434-1

Лекция 12.
Факторы, влияющие на интенсивность дифракционных максимумов.
План лекции:
Множитель повторяемости. Тепловой множитель.
Угловой множитель Лоренца. Абсорбционный множитель.
Интегральная интенсивность дифракционных максимумов
Множитель повторяемости. Множителем повторяемости называют число плоскостей данной системы, участвующих в отражении. С одной стороны, это кристаллографический фактор, с другой стороны, это фактор, влияющий на интенсивность отражения рентгеновских лучей.
Число семейств плоскостей, образующих совокупность, определяется симметрией кристалла, зависит от их расположения относительно элементов симметрии, то есть от ориентации их в кристалле, а, значит, и от значений индексов.
На рис. 2.19 приведена дифрактограмма, снятая с образца меди. Медь имеет ГЦК решетку, множитель повторяемости для плоскости (111) равен 8, а для (200) – 6. на дифракторгамме линия, соответствующая отражению от плоскости (111), всегда более интенсивнее, чем от второй плоскости (200).
Тепловой множитель. Тепловой множитель (е -2М) учитывает влияние теплового движения атомов на рассеяние рентгеновских лучей кристаллом. На рентгенограммах, снятых при повышенных температурах, линии заметно ослабляются в результате действия теплового движения.
Повышение температуры образца означает усиление амплитуды колебаний атомов. При этом объем, рассеивающий рентгеновские лучи, как бы увеличивается, что и приводит к уменьшению интенсивности рентгеновского отражения. При комнатной температуре тепловое движение атомов понижает интенсивность дифракционных максимумов незначительно (<10%), что позволяет этим пренебречь.
Тепловой множитель (е -2М) показывает, как изменяется интенсивность отраженных рентгеновских лучей с повышением температуры образца:
Jt/ J0oK = е - 2М
Величину М можно определить, произведя при двух различных температурах съемку и сравнивая интенсивности отражения одних и тех же линий, если известна характеристическая температура; при такой съемке можно определить и рентгеновскую характеристическую температуру.
Угловой множитель Лоренца L(). При съемке дифрактограммы пучок рентгеновских лучей проходит через щели 1, в начале падая на кристалл 2, затем отражаясь от него при регистрации счетчиком 3. Во время съемки исследуемый кристалл вращается вокруг вертикальной оси с угловой скоростью , а счетчик перемещается со скоростью 2. Отражение рентгеновских лучей, которое регистрируется при съемке образца счетчиком, соответствует некоторому угловому интервалу с отклонением от брэгговского угла: -е, +е.
Такое отклонение по углу от формулы Вульфа-Брэггов объясняется многими причинами. Во-первых, сказываются размеры кристаллитов и их кристаллографическое совершенство. Теория рассеяния рентгеновских лучей справедлива для кристаллов сравнительно мелких размеров 10-4 мм и меньше.
Для реальных кристаллов характерны малоугловые границы (кристаллы состоят из блоков, развернутых друг относительно друга), которые могут составлять величину от долей минут до долей градусов. Если блоки достаточно малы (~10-4 мм), не содержат внутри каких-либо дефектов, то теория оказывается справедливой и для мозаичных кристаллов.



Рис. 2.23 Схема вращения образца вокруг горизонтальной оси в условиях съемки

Фактически в рентгеноструктурном анализе исследователь имеет дело с кристаллами не менее 10-3 мм. Поэтому при вращении образца (вокруг горизонтальной оси в условиях съемки) каждый кристаллит через отражающее положение проходит в некотором интервале углов.


Во-вторых, отклонение от брэгговского угла зависит от непараллельности рентгеновского пучка, которое зависит от ширины щелей на рентгеновской трубке и счетчике, а также отклонением от монохроматичности излучения.
Очевидно, интегральная интенсивность отраженных рентгеновских лучей не соответствует отражательной способности образца.
Угловой множитель Лоренца – L() учитывает геометрические факторы, возникающие практически при всех дифрактометрических методах анализа структур, оказывающие влияние на интегральную интенсивность рентгеновского отражения. В целом геометрический множитель Лоренца для монокристалла принимает вид:
L() = (1+cos22) / sin2

Рис. 2.25 Схема съемки с длинной («штриховой») проекцией фокуса.
Ход лучей при съемке дифрактограмм (F – источник излучения;
bf, Hf – ширина и высота фокуса; S1, S3 – щели, ограничивающие расходимость первичного пучка; Р – плоский образец с проекцией фокуса Нр; S2 – приемная щель счетчика шириной bс и высотой Нс
Для поликристаллических материалов (метод порошков) угловой множитель Лоренца учитывается в виде: L() = (1+cos22) / (sin2cos)
Абсорбционный множитель. При расчете интегральной интенсивности рентгеновского отражения вводится так называемый множитель поглощения или абсорбционный множитель А(, )<1.
Для предельного случая съемки с фокусировкой по Бреггу-Брентано, то есть когда ход лучей в объекте в десятки раз меньше толщины образца А()<1/2.
При съемке цилиндрических образцов (в камере Дебая) влияние поглощения зависит от угла скольжения  и от произведения r, где  – линейный коэффициент поглощения лучей в исследуемом образце, а r – радиус образца. Абсорбционный множитель для цилиндрических образцов уменьшается с уменьшением  и с ростом r (поглощение сильнее снижает интенсивность).
Интегральная интенсивность дифракционных максимумов. С учетом перечисленных факторов результирующее выражение интегральной интенсивности дифракционных максимумов имеет вид:
JHKL = K F2 P L() A () е-2М N2
где К – постоянная для всех линий рентгенограммы величина; F2 – структурный множитель; P - множитель повторяемости; L() – угловой множитель; A () – абсорбционный множитель; е -2М – тепловой множитель; N – число элементарных ячеек в единицу объема.
При съемке на дифрактометре с фокусировкой по Брэггу-Брентано можно по выражению с достаточной точностью определить интегральную интенсивность дифракционных максимумов.
При исследованиях, когда требуются точные расчеты, учитывают первичную и вторичную экстинцию. Первичная экстинция обусловлена тем, что в отражении участвуют только верхние слои кристалла, а дважды отраженная волна, распространяясь в направлении первичной, отстает по фазе на n и ослабевает ее. Эффект вторичной эктинции связан с ослаблением первичного луча, падающего на блок, блоком, лежащим выше и имеющим ту же ориентацию, что и второй блок по ходу лучей (то есть происходит как бы экранирование).
Подробнее с рассматриваемыми в этом разделе вопросами можно ознакомиться в [1, 2, 3, 4].




Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   17   18   19   20   21   22   23   24   ...   28




©engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет