Нанотехнологиялар
Транзисторлар - екі электродты тізбектегі тоқты үшінші
жүктеу/скачать 4,68 Mb. Pdf көрінісі
|
НАНОТЕХНОЛОГИЯЛАР
- Бұл бет үшін навигация:
- Ж артылай өткізгіштер - бұл меншікті өткізгіштіктері өткізгіштер мен диэлектриктер арасында орналасқан және
| Транзисторлар - екі электродты тізбектегі тоқты үшінші
электрод электрод басқаратын жартылай өткізгіш электронды құрал. Транзистор жартылай өткізгіш материалдың үш қабатынан құрылған. Жартылай өткізгіш - бұл шарттарға байланысты электр тоғын әртүрлі өткізетін материалдар. Жартылай өткізгіш жоғары тем- пературада электр тоғын металдар тәрізді өткізеді, мысалы, мыс. Ал, төменгі температурада резина тәрізді оқшаулағыш болып келеді. Жар тылай өткізгіштердегі электрондардың қозғалысы оның электрондық құрылысымен анықталады. Ж артылай өткізгіштер - бұл меншікті өткізгіштіктері өткізгіштер мен диэлектриктер арасында орналасқан және өткізгіштерден меншікті өткізгіштік пен қоспа концентрация- сы және сыртқы шарттарга (температура, ұсақтау және т.б.) қатты тәуелді болуымен ерекшеленеді. Қатты денелі электроникада жартылай өткізгіш элемент ретінде кремний мен германий қолданылады. Олардың атомдарының төрт валентті электрондары (басқа атомдармен байланыс түзуге қабілетті электрондар) бар. Температура өзгерген кезде германийде бос элек трондар саны артады да, ол өткізгішке айналады. Жоғары темпера турада да пайдаланыла алатындықтан кремний бұл жағынан әмбебап болып келеді. Жартылай өткізгіштер жарық немесе электр тоғының әсерінен өткізгішке немесе оқшаулағышқа айналады. Жартылай өткізгіштерді жасау легирлеу, яғни негізгі материалға (кремний, германий және т.б.) кейбір заттарды химиялық қосу опера- цияларынан тұрады. Легирлеуден кейін негізгі материалда атомдардың біршама мөлшері пайда болады. Олардағы валенттік электрон саны 5 болса, онда п-типті жартылай өткізгіш (‘педаііуе’ ағылшын сөзі - теріс деген ұғымды білдіреді, себебі артық электрондар және теріс заряд пайда болады), немесе бос электрон саны 3 болса - р-типті жар тылай өткізгіш (‘розіііуе’ ағылшын сөзі - оң деген ұғымды білдіреді, себебі электрондардың жетіспеуіне артық оң заряд пайда болады) түзіледі. Транзистор, әдетте, үш қабатты «бутербродтан» тұрады: р-типті бір қабат п-типті екі қабаттың арасында орналасады немесе керісінше п-типті бір қабат р-типті екі қабаттың арасында орналаса ды. Бұл қаббатар толығырақ төменде сипатталады. Мұндай «бутербродтың» ішкі қабатындағы кернеуді аз ғана өзгертсе, барлық транзистордағы электр тоғының шамасы өзгеріске ұшырайды. Сонымен транзистор жылдам электр тоғын аударғыш ретінде жұмыс істейді. Заманауи компьютерлерде металл - оксид - жартылай өткізгіш (МОЖ - құрылым) типті құрылым негізіндегі транзисторлар қолданылады. Осындай микроскопиялық құрылым - транзисторлардың өте көп мөлшері микрочипті құрайды. жүктеу/скачать 4,68 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|