Нанотехнологиялар

п-типтің канал ұштары көзі және ағыны, ал р-типті аймақтың 
ұштары тығындар деп аталады. Затворларға кернеу (кері кернеу) 
беріліп, п-типті және р-типті жартылай өткізгіштердің шекара- 
сы арқылы тоқтың өтуіне кедергі болады. Сонымен, кері кернеу 
көмегімен тоқтың канал бойынша өтуін бақылауға болады. р-типті 
жартылай өткізгіш - каналы бар жазық транзистор да осылай жұмыс 
істейді. Алайда бұл жағдайда кері кернеудің таңбасы қарама-қарсы 
болады.
Нанотранзисторлар
АҚШ 
Шампэйн-Урбандағы 
Иллинойс 
Университетінің 
ғалымдары 600 МГц жиілікпен жұмыс істей алатын биполярлы 
транзистор жасап шығарған. Олар жақында терагерцті бөгетті өтіп, 
жоғары жылдамдықты есептеулерде негіз болатын транзистор­
лар жасаймыз деп жорамалдап отыр. Мөлшері кішкентай терагецті 
микропроцессордың құрамында 25 есе көп транзистор болады, 25 есе 
жылдамырақ жұмыс істейді және Репііит 4 чипынан азырақ энер­
гия тұтанады. Іпіеі компаниясы осындай чипты нанотранзисторлар 
негізінде жасауды жоспарлап отыр.
Индий фосфиді мен галий арсениді негізіндегі өрістік транзи- 
сторлар коллектор, база және эмиттерден тұрады. Дәл осындай тран- 
зисторда ғалымдар 604 МГц жиілікті және әлемдегі ең жылдам тран­
зистор жасаушы атағын алды.
Жоғары жылдамдықта жұмыс істейтін транзисторлар жоғары 
тығыздықты тоқты тасымалдайды және тез қызып кетеді және бұл 
кезде кейбір компоненттер балқып кетеді. Жаңа композитті биполяр­
лы транзисторлар біраз төмен тығыздықтағы тоқты ұстап тұрады. 
Ғалымдар мен инженерлер жаңа материалдар көмегімен жақын 
болашақта терагерцті транзисторды жасау ықтималдығын арттыруға 
тырысып жатыр. Жылдамырақ транзисторлар соғұрлым жылдам ми- 
кропроцессорлар жасауға, яғни мықты компьютерлер мен байланыс, 
өндіріс және армияға арналған тиімді электронды жүйелер жасауға 
мүмкіндік береді.

жүктеу/скачать 4,68 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: