Научно-методический журнал Серия: Естественно-технические науки. Социальные и экономические науки. Филологические науки
жүктеу/скачать 4,81 Mb. Pdf көрінісі
|
2-сан 2023 (1-серия)
- Бұл бет үшін навигация:
- Adabiyotlar
| Хulosa.
Marganets atomlarining [Mn++]4 magnit nanoklasterlari hosil qilingan kremniydagi magnit qarshilikni tadqiq qilishning nazariy tahlili va tajriba natijalari bunday materialarda MMQ kuzatilishi va uning tabiati to‗rtta marganets atomlarining nanoklasterlari mavjudligi bilan bevosita bog‗liqligini hamda kremniyda marganets atomlarining [Mn++]4 magnit nanoklasterlari konsentratsiyani o‗zgartirish orqali MMQ qiymatini keng oraliqda o‗zgartirish imkoniyati mavjudligini ko‗rsatib beradi. Kremniyda katta qiymatdagi manfiy magnit qarshilikning xona haroratida (T=300K) kuzatilishi esa qo‗llanishi nuqtayi nazaridan juda muhim amaliy ahamiyatga ega. Adabiyotlar 1. Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. Spin Resonance of Deep Level Impurities in Germanium and Silicon // J.Phys.Chem. Sol., 1959. V.8. -P.490. 2. Фистуль В.И., Казакова В.М., Бобриков Ю.А., Рябцев А.В., Абдурахманов К.П., Зайнабидинов С., Камилов Т.С., Утаму- радова Ш.Б. О состоянии примесных ионов марганца в кремнии // Физика и техника полупроводников. – Санкт–Петербург, 1982. -Т.: 16. В.5– С. 939-941. 3. Kreissl J., Gehlhoff W. Electron Paramagnetic Resonance of the Cluster in Silicon // phys.stat.sol. 1988.– V.145 (b).– P. 609- 616. 4. Алексеенко В.В. О механизме диффузии атомов в конденсированных средах. // ФТТ. - Т. 50.– В.10.– С. 1775-1778. 5. Бахадирханов М.К., Аюпов К.С., Арзукулов Э.У., Сражев С.Н., Тошбоев Т.У. Термические свойство кремния с класте- рами атомов никеля //Физика.–Томск, 2008.– № 3 (11).– C.170-172. 6. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Мавлянов Г.Х., Сатаров О.Э., Эгамбердиев Б.Э., Сапарниязова З.П., Тачилин С.А. По- движность носителей заряда в кремнии с многозарядными нанокластерами атомов марганца // VI – международная конферен- ция и V – школа молодых ученных и специалистов. Кремний–2009. –Новосибирск: 7-10 июля, 2009. 7. Бахадырханов М.К., Абдурахманов Б.А. Физико-технологические основе формирования кластеров примесных атомов в кремнии. // Доклады АН РУз. –Ташкент: 2013. № 3. -С. 29-33. 8. Bakhadyrkhanov M.K., Mavlonov G.Kh., Isamov S.B., Iliev Kh.M., Ayupov K.S., Saparniyazova Z.M. and S.A.Tachilin. Transport Properties of Silicon Doped with Manganese via Low Temperature Diffusion // Inorganic Materials, 2011, Vol. 47, No. 5, -Р. 479-483. 9. Bakhadyrkhanov M.K., Ayupov K.S., Mavlyanov G.Kh., Iliyev Kh.M., and Isamov S.B. Photoconductivity of Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms // Russian Microelectronics, 2010, Vol. 39, №. 6. -Р. 401-404. REZYUME. Kremniyda past haroratli diffuziya usuli bilan marganets kirishma atomlari magnit nanoklasterlarini hosil qilish orqali xona haroratida katta manfiy magnit qarshilik hodisasi kuzatilgan. Kremniydagi marganets nanoklasterlari konsentratsiyasini boshqarish orqali manfiy magnit qarshilik qiymatini boshqarish mumkinligi ko‗rsatilgan. РЕЗЮМЕ. Явление большого отрицательного магнитосопротивления наблюдалось при комнатной температуре за счет формирования магнитных нанокластеров атомов марганца в кремнии путем низкотемпературной диффузии. Показано, что ве- личиной отрицательного магнитосопротивления можно управлять, контролируя концентрацию нанокластеров марганца в кремнии. SUMMARY. A large negative magnetoresistance phenomenon has been observed at room temperature by forming magnetic nanoclusters of manganese doped atoms in silicon by low-temperature diffusion. It has been shown that the negative magnetoresistance value can be controlled by controlling the concentration of manganese nanoclusters in silicon. |