Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»
жүктеу/скачать 5,26 Mb. Pdf көрінісі
|
Каз.Морозова Электротехника и электроника
| 11.2.
ЭЛЕКТРОНДЫ-КЕМТІКТІҢ АУЫСУЫ ( р-n - АУЫСУ) Негізгі қасиеттері əр түрлі өткізгіштігі бар екі немесе бірнеше іргелес қабаттан тұратын жартылай өткізгіштермен алынатын болады. Өткізгіш өткізгіштігі бар жартылайөткізгіштікке электр өткізгіштігі бар жартылай өткізгіштен өтетін аймақ электронды- кемтікті ауысу, немесе p — n- ауысу деп аталады. Электронды-кемтікті ауысу асимметриялық өткізгіштігінің сипатына ие, яғни сызықты емес кедергі болып табылады. Электронды-кемтікті ауысуды n- жəне p-типті жартылай өткізгіш пластиналарға жай ғана жанасу арқылы құруға болмайды, себебі тораптағы ақауларсыз жалпы кристалды торды беру мүмкін емес. 166 Электронды-кемтікті ауысулардың қасиеттері мен үйлесімі көптеген жартылай өткізгіш аспаптардың принципі негізінде жатыр (диодтарда мен дала транзисторларда бір-бір р —n-ауысу қолданады, биполярлы транзисторларда — екі р —n-ауысу, тиристорларда — үш р —n-ауысу). Электронды-кемтікті ауысу осы аспаптардың негізгі элементі болып табылады. Ол технологиялық процестердің көмегімен құрылады. Практикада р —л-ауысуды алу тəсілі жартылай өткізгішті қоспаға өткізгіштігінің қарсы түрімен енгізілу арқылы кеңінен қолданылады, соның нəтижесінде өткізгіштігінің əртүрлі түрлерімен өңірлер арасындағы интерфейс жартылай өткізгіш бір кристалл ішінде орналасқан. р —n-ауысудың тасымалдағыштардың тең шоғырлануы кезінде қарастырайық. Мысалы, екі қоспалы жартылай өткізгіштер бар: біреуі л-типті, екіншісі p-типті өтімділігі бар. Олардың ішіндегі акцепторлықəне донорлық қоспалардың құрамдары бірдей болады. Оларды бір-бірімен тікелей байланыстыру үшін жақындатамыз. n-типті жартылай өткізгіште электрондардың үлкен концентрациясы нəтижесінде олар бірінші жартылай өткізгіштен екінші жартылай өткізгішке дейін тарайды. Сол сияқты, екінші р- типті жартылай өткізгіштерден біріншіге дейінгі тесіктердің диффузиясы орын алады. Кез-келген диффузия жағдайында, мысалы, газдарда жəне сұйықтықтарда байқалғандай, тасымалдаушылар онда концентрациясы жоғары болатын жерде, олардың концентрациясы төмен болған жерлерге көшеді. л-типті жартылай өткізгіштің жұқа шекараға жақын қабатында оң заряд, ал р-типті жартылай өткізгіштің жұқа шекараға жақын қабатында теріс заряд пайда болады. Бұл қабаттардың арасында əлеуетті айырмашылық бар жəне кернеуі бар электр өрісі қалыптасады, бұл электрондардың жəне тесіктердің бір жартылай өткізгіштен екіншісіне диффузиясының алдын алады. Осылайша, екі жартылай өткізгіштердің шекарасында заряд тасымалдаушылардың (электрондар мен тесіктер) жұтып қойған жұқа қабаты үлкен қарсылыққа ие. Бұл қабат құлыптағыш, немесе p —n-ауысу деп аталады (11.2, а-сурет). жүктеу/скачать 5,26 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|