Негізгі металл матрицалардың қасиеттері

Жоғарылау жұмыс температуралары үшін матрицалық материал ретінде керамиканы 
қолданады. Оның басты кемшілігі — серпімділіктің жоқтығы — кей жағдайларда 
керамикада жарықтың таралуын тежейтін нығайтушы талшықтармен компенсацияланады. 
Матрицалық материал ретінде аморфты оттегіні қолдану, ал нығайтушы материал ретінде – 
кристал оттекті (графит) талшықтарды қолдану 2 500°С-ге дейін ысытуға шыдайтын 
композит жасауға мүмкіндік берді. Мұндай оттегі-отекті композит авиациялық жəне 
зымыранды-ғарыштық техника үшін перспективті. АҚШ-та оттегі-оттекті композиттерді 
қарқынды пайдалануға, көп ретті қолдануға болатын ғарыш кемелерін жасау бағдарламасы 
бойынша жұмыстар түрткі болды. Мүмкін болатын тотығу мен абляция оттекті матрицаның 
кемшілігі болып табылады. Бұл құбылыстарды жою үшін композитті кремний карбидінің 
жұқа қабатымен жабады. 
Осылайша, композитті пайдаланудың жұмыс температурасы матрицалық материалды 
таңдаудың маңызды критериі болып табылады. 
Жоғарғы беріктік пен қатаңдықтан өзге, композитті дайындау үдерісінде балқыиылған 
матрицамен материал талшықтарын сулау композиттер үшін талшықтарға қойылатын негізгі 
талап болып табылады. Талшықтың матрица материалымен төменгі əсері жəне оның жоғарғы 
тотығуға шыдамдылығы маңызды шарттар болы табылады. 
МКМ нығайту үшін əдетте үзіліссіз талшықтарды қолданады: оттекті (ОТ), борлы (В), 
алюминий оксиді (Al
2
O
3
), кремний карбиді (SiC), бор карбиді (B
4
C), бор нитриді (BN), 
титанның дибориді (TiB
2
), кремний оксиді (SiO
2
). Сондай-ақ талшықтар ретінде, болат, 
вольфрам, титан, молибден жəне бериллийден созу əдісі арқылы алынған, жұқа металл 
сымды қолданады. Сирек түрлі материалдардың жіп-жіңішке арнайы өсірілген кристаллдары 
қолданылады. 
МКМ нығайту үшін қасиеттері 10.3 кестеде көрсетілген үзіліссіз немесе дискретті 
оттекті жəне бор талшықтар көп таралған. Әдетте бор талшықтарын, мысалы бор хлоридін 
BC1
3,
оның галоидты байланыстарын диссоциациялау кезінде борды газ фазасынан тұндыру 
арқылы алады. Бор 1 100... 1200°Стемператураға дейін қыздырылған жұқа (12 мкм) вольфрам 
сымды негізге тұнады. Тұндыру үдерісінде бор, талшық өзекшесінде волфрам боридын түзіп, 
вольфрам негізіне диффузияланады. Талшықтың реакциялық камерада болу уақыты 1,2 мин. 
Бор талшығының жалпы диаметрі 100.150 мкм. 
Полиакрилонитрил (ПАН), сирек – пек, вискоза сияқты оттегінің жоғарғы мөлшері бар 
полимерлер аса берік жəне жоғары модульді оттекті талшықтарды алу үшін шикізат болып 
табылады. 
376 

10.3 кесте. 

жүктеу/скачать 8,95 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: