l
соответствуют
,
,
s
p
d
орбитали
соответственно. Вид этих орбиталей различен и характеризует распределение
электронной плотности. Таким образом, метод позволяет рассчитать
электронную плотность молекулы или кластера.
В качестве примера приведено образование молекулярные орбитали
комплекса переходного металла путем комбинации атомных орбиталей металла
и молекулярных орбиталей лигандов (см. рис. 1.65)
.
В случае поверхности
твердого тела или кластера орбитали могут выступать за границы объекта и
77
осуществлять связывание. На больших расстояниях существует только
отталкивание, которое растет с приближением молекулы к поверхности. Этому
соответствует разрыхляющая орбиталь. Однако когда энергия разрыхляющей
орбитали достигает уровня энергии Ферми, электроны переходят на вакансии в
зонах металла. В результате отталкивание сменяется притяжением и образуется
связывающая орбиталь.
Рис. 1.65. Схема образования орбиталей в октаэдрическом комплексе иона переходного
металла четвертого периода без учета (
-связей). Крестиками указано размещение 12
электронов лигандов на молекулярных орбиталях комплекса. [2]
На поверхности монокристалла атомы образуют уменьшенное число
связей, их энергия связи, уменьшается по сравнению с атомами массива. Более
распространен вид поверхности связанной с высокопористыми и
высокодисперсными системами. Это оксиды, силикагели, аэросил, оксид
алюминия, цеолиты.
Силикагель
-гидратированный аморфный кремнезем формы
2
2
SiO nH O
,
который может быть подвергнут превращениям
4
2
2
(
)
(2
)
n
n m
nSi OH
Si O
n m H O
После процесса поликонденсации образуются наночастицы коллоидных
размеров сферической формы
2 20
нм
.
При высушивании гидрогеля кремниевой кислоты структурная сетка
между частицами
Si
сохраняется. Поры этого каркаса рассматриваются как
зазоры между частицами. На рис. 1.66.
показано структурное изображение
тонкопористых и крупнопористых силикагелей.
78
Рис. 1.66.а) Структурное изображение тонкопористых, и б) - крупнопористых силикагелей
[2].
Поверхность силикагеля покрыта изолированными
силанольными
Si OH
,
двойными силанольным
и
2
(
)
Si
OH
группами с концентрацией
ОН
1,7-12
мкмоль/м
2
или 1-7,2 групп ОН на 1 нм
2
. Поверхность силикагеля
модифицируется и может обладать как гидрофобными, так и гидрофильными
свойствами.
Оксид алюминия получают прокаливанием гидроксидов алюминия –
тригидратов и моногидратов. Различают следующие типы оксидов алюминия:
1.Низкотемпературные оксиды
2
3
2
Al O nH O
с
0
0, 6
n
, которые
получают при температурах не выше600
о
С, в виде
,
,
,
модификаций.
2.Безводные высокотемпературные оксиды алюминия получают при
температуре 900-1000
о
С в виде
,
,
модификаций.
3. Корунд
2
3
Al O
образуется при температурах, начиная с 1000
о
С.
2
3
Al O
обладает
дефектной
шпинельной
структурой,
которая
стабилизирована небольшим количеством молекул воды. Первичные
нанокристаллиты размером 3-8 нм упакованы так, что поры образуют щелевую
или бутылочную форму.
Поверхность
оксидов
алюминия
гидроксилирована
и
легко
модифицируется ионами металлов. Это играет важную роль в оптике,
электронике, магнитных свойствах, и при адсорбции и катализе.
Цеолиты
-
это алюмосиликаты, в которых для компенсации
отрицательного заряда, возникающего при замещении иона
4
Si
на
3
Al
вводят
щелочные металлы или водород. Это регулярные пористые структуры,
заполненные в обычных условиях водой. При нагревании вода выделяется,
цеолиты
«кипят».
Общая
химическая
формула
цеолитов
2/
2
3
2
2
4
n
Me O Al O xSiO
H O
, где
Me
- металл или водород,
n
валентность.
Цеолиты встречаются в природе в виде минералов шабазита, фожазита,
морденита или синтезируются при нагреве в вакууме силикатов или
алюминатов щелочных металлов. Алюмосиликатные тетраэдры
4
AlO
цеолитов
79
образуют ажурные структуры, состоящие из содалитовых ячеек и
кубооктаэдров, образующих большие и малые полости. См. рис. 1.67.
Рис. 1.67. Структурные изображения цеолитов А (а) и Х (б).[2]
Примесные атомы на поверхности.
Примесные атомы на поверхности могут изменять симметрию
координации и координационного числа и собираться в нанокластеры.
Ионы никеля
Ni
на поверхности окиси магния
MgO
. Часть ионов на
поверхности в тетраэдрическом окружении и часть в виде
3
Ni
в соединении с
гидроксилами
OH
.
Ионы хрома
Cr
на поверхности окиси алюминия
2
3
Al O
. Ионы
5
Cr
существуют в виде координационно укороченной пирамиды
5
5
Cr O
для
концентраций 1-5 % хрома и вакуумирования при 300
о
С. В интервале
концентраций 5-10% существуют димеры типа
3
3
Cr
O Cr
. Дальнейшее
увеличение концентрации ведет к образованию оксидных кластеров хрома.
Ионы молибдена
Mo
на поверхности окиси алюминия
2
3
Al O
и окиси
магния
MgO
. Ионы
Mo
могут находиться на поверхности этих окислов в виде
ионов
4
Mo
,
5
Mo
,
6
Mo
.
При низких концентрациях <6% ионы
6
Mo
образуют тетраэдрическую
координацию в виде
3
4
(
)
MoO
. При увеличении концентрации образуются
вначале ионы
6
Mo
в октаэдрической координации, а затем кластеры
3
MoO
.
Восстановление
6
Mo
ведет к образованию кластеров
/
x
MoO
MgO
включающих
50-100 ионов
5
Mo
. Для поверхности
MgO
размер кластера
3
MoO
определялся
размерами нанограней микрозерен
MgO
20-25 нм.
Ионы титана
3
Ti
на поверхности
2
TiO
. При восстановлении поверхности
рутила
2
TiO
появляются ионы
3
Ti
, наблюдаемые с помощью электронного
80
парамагнитного резонанса (ЭПР). Увеличение концентрации ионов ведет
сначала к увеличению числа кластеров, а затем к росту размеров самих
кластеров.
Атомы кобальта
Co
на поверхности вольфрама
W
. Ограничение числа
атомных связей на поверхности приводит к повышению их подвижности.
Характеристикой является среднеквадратичное смещение атомов
2
u
,
определяемое с помощью мёссбауэровской спектроскопии.
2
u
на
поверхности вольфрама возрастает по сравнению с внутренними атомами в 2,5
раза. Среднеквадратичная амплитуда атомов
Co
перпендикулярно поверхности,
почти вдвое превышает эту величину вдоль поверхности.
Достарыңызбен бөлісу: |