Қатты денелер физикасы
жүктеу/скачать 26,78 Mb.
|
|
Сыртқы күштердің әсерінен кристалдағы жылжудың пайда болуы сырғанау жазықтығы бойымен дислокацияның қозғалуын және оның кристалл бетіне шығуын тудырады. Егер жылжу кристалдағы дислокацияның шығуы есебінен ғана болса, онда пластикалық деформация процесі дислокацияның жоғалуына және ол кристалды өте жоғары күйге алып келеді. Бұл тәжірибеге қайшы келеді, ол бойынша деформация дәрежесі артқан сайын тордың бұзылуы кемімейді, ал керісінше артады, ендеше дислокация тығыздығы да артады. Сондықтан, қазіргі уақытта пластикалық деформацияға негізделген дислокация кристалға түсірілген сыртқы күштердің әсерінен жылжу пайда болуы процесінде генерацияланады. Осындай генерациялау механизмін 1950 жылы Франк және Рид ашты. Осы механизмді түсіндіру үшін түтік арқылы сабын көпіршіктерінің пайда болу процесін қарастырайық (2.21 –сурет). Түтік ұшын сабын ерітіндісіне батырғанда онда түтік саңылауын жабатын жұқа қабықшақ пайда болады. Түтік ішіндегі ауаның қысымын ақырындап арттырғанда жұқа қабықшақ 1,2,3,4 стадиялардан өтіп, ұлғаяды. 
2.21-сурет 2.22-сурет Ол жартылай сфера формасына (3 стадия) келгенге дейін, оның күйі орнықты, қысым кемігенде ол өзінің 1 күйіне қайтып келеді. 3 стадиядан кейін көпіршік күйі өзгереді: ол түтік ұшынан бөлініп кеткенге дейін тұрақты қысымда, тіпті біртіндеп кемитін қысымда да өзгеріс бола береді. Бірінші көпіршіктен кейін екінші, одан кейін үшінші және т.б. пайда бола береді. Енді Франк-Рид көзінің әсерін қарастырайық. 2.22-суретте сырғанау жазықтығында орналасқан  сызықтық дислокация көрсетілген.  және  нүктелері қозғалмайтындай етіп бекітілген және дислокацияның орын ауыстыруына қатыспайды. Осындай бекіту берілген дислокацияның басқа дислокациялармен қиылысқан жерлерінде, қоспа атомдарында және т.б. болуы мүмкін. Сыртқы кернеу  әсерінен дислокация сабын көпіршігі сияқты иіледі және қандай да бір уақыт мезетінде жарты шеңбер формасына келеді (2.22 б-сурет). Сабын көпіршігі сияқты дислокацияның иілуі тек қана кернеу үзіліссіз артқанда ғана өтеді, дислокация жартылай шеңбер формасына келгенде, кернеу өзінің максималь шамасына жетеді. Оның ары қарай дамуы өздігінен екі спиральдың пайда болуына алып келеді (2.22 с- сурет), олар  нүктесінде тоғысқанда дислокация екіге (2.22 г-сурет) бөлінеді: сыртқы дислокация, ол сыртқы шеңберді қосады (2.22 д-сурет), ішкі дислокация, алғашқы күйге сәйкес келетін күй (). Сыртқы дислокация кристалдың сыртқы қабатына дейін өседі және элементар жылжуға алып келеді; ішкі дислокация алғашқы күйге келіп, кернеудің әсерінен қайта иіледі және өседі (жоғарыда айтылған сияқты). Осы процесс берілген кристалдың сырғанау жазықтығының бір бөлігінің екінші бөлігімен салыстырғанда айқын жылжуын тудырып, шексіз қайталана береді.
Кристалдың жылжуға икемділігі ондағы дайын дислокацияның барлығын көрсетеді. Екінші жағынан, пластикалық деформация мен дефектілер саны артқанда кристалдың беріктенетіні белгілі. Бұл дислокациялардың бір-бірімен өзара әсерлесулері және тордың әртүрлі дефектілері олардың тордағы орын ауыстыруларын қиындатады. Каталог: ebook -> umm umm -> ПОӘК 042-18-29 8/03-2013 №1 басылым 05. 09. 2013 umm -> Жалпы және заң психологиясы терминдерінің қысқаша сөздігі. І бөлім. Жалпы психология пәнінің терминдері umm -> 6М 011700- «Қазақ тілі мен әдебиеті мамандығы» Магистранттарға арналған umm -> ПОӘК 042-14-5-05. 02. 20. 22/2013 № басылым umm -> 6М 011700- «Қазақ тілі мен әдебиеті мамандығы» Магистранттарға арналған umm -> «Ежелгі дәуір әдебиеті» пәніне арналған оқу-әдістемелік материалдар 2013 жылғы №3 басылым 5В011700 «Қазақ тілі мен әдебиеті», 5В012100- Қазақ тілінде umm -> Оқытушы үшін «Қазақстан тарихы» umm -> Әбікенова Гүлнафис Төкенқызы Қазақ тіліндегі эпистолярлық стильдің лингвистикалық сипаты umm -> Педагогика кафедрасы жүктеу/скачать 26,78 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|