Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в ринц н Инновации. Наука. Образование
жүктеу/скачать 22,11 Mb. Pdf көрінісі
|
Номер 51 февраль 2022 года
| Инновации. Наука. Образование
полях и вида закона Френкеля при более сильных полях. Таким образом механизм термоэлектронной ионизации сводится к облегчению отрыва электрона от атома. При увеличении напряженности электрического поля после механизма термоэлектронной ионизации свободный электрон, ускоряющийся на участке свободного пробега, может в достаточно сильном поле приобрести энергию, достаточную для возбуждения связанного электрона, или примесного атома основной решетки. Этот механизм называется ударной ионизацией и он может приводить к увеличению концентрации носителей только если ионизирующий электрон, возбудив связанный электрон, останется сам в проводящем состоянии. Для этого необходимо, чтобы кинетическая энергия ионизирующего электрона была настолько велика, чтобы после возбуждения этот электрон сохранил энергию, достаточную для пребывания в зоне проводимости, т.е. сместился в пределах зоны проводимости с верхнего уровня на нижний. Таким образом при возбуждении электронов ширина зоны проводимости должна превышать ширину валентной зоны. Аналогичные условия формируются и для ударной ионизации проводимой в валентной зоне дыркой. Так как энергия активации примесей обычно меньше ширины запретной зоны, то в возрастающем электрическом поле прежде всего начинается возбуждение носителей тока с примесных уровней, а затем начинает действовать ударная ионизация основных атомов решетки. Исходя из вышесказанного, очевидно, что для увеличения концентрации носителей тока и получения максимальных значений э.д.с. от ЭРЭ РЭУ, их необходимо поместить в ПЭМП, воздействующее на элементы РЭУ со всех сторон, не зависимо от его пространственного расположения на ПП, но т.к. технически реализовать это затруднительно, целесообразно использовать вращающееся электромагнитное поле (ВЭМП) аналогичное используемому в статоре электродвигателя. При воздействии ВЭМП Н пер на полупроводниковый элемент ПП с энергозависимой памятью (рисунок 1) изменяется направление вектора магнитного поля с 90 о на 270 о перпендикулярно действующего относительно подложки полупроводникового носителя. Направление вектора магнитного поля последовательно меняется, проникая в проводник и полупроводник с заданной частотой ω , индуцируя в нем переменное электрическое поле [5]. Наведённое магнитное поле в свою очередь вызывает появление вихревых токов, приводящих в состояние возбуждения заряды в полупроводниковых элементах ПП или РЭУ. При дальнейшем изменении направления вектора магнитного поля начинает 824 Научный журнал «Инновации. Наука. Образование» Индексация в РИНЦ н жүктеу/скачать 22,11 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|