Научно-методический журнал Серия: Естественно-технические науки. Социальные и экономические науки. Филологические науки
жүктеу/скачать 4,81 Mb. Pdf көрінісі
|
2-сан 2023 (1-серия)
| .
А свыше 10с облучение приводит к де- градации прямой ветви, уменьшается экспоненциаль- ный участок, изменяется наклон вольт-амперной харак- теристики υ b уменьшается, n растет, что связано с гене- рацией структурных дефектов, образующихся в про- цессе релаксации внутренних механических напряже- ний стимулированными сверхвысокочастотной обра- боткой в структуре n-SiC. Сверхвысокочастотная обра- ботка карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки, может приводить к улучшению электрофизических па- раметров, когда время облучения диодных структур близко к оптимальному. В нашем случае это 5с. Подоб- ные изменения стабильны в течение длительного вре- мени. Литературa 1. Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимова Р. Карбидкремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения. //ФТП, 2003, том 37, вып.1, -С. 65-69. 2. Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.А., Шаховцев В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. -М.: «Радио и связь», 1990, -С. 184. 3. Мамонтов А.П., Чернов И.И. Эффект малых доз ионизирующего излучения. –М.: Энергоатомиздат, 2001, -С.250. 4. Абдурахимов Д.Е., Вахидов Ф.Ш., Верещагин В.Л., Калинушкин В.П., Плоппа М.Г., Райзер М.Д.. Изменение свойств по- лупроводниковых материалов в результате воздействия СВЧ импульсов наносекундной и микросекундной длительности. // Микроэлектроника, 1991, том 20, вып.1, -С.21-25 5. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А. Фазы внедрения в технологии по- лупроводниковых приборов и СБИС. Харьков: НТК ―Институт монокристаллов‖, 2008, –С. 392. РЕЗЮME. Ушбу мақолада кремний карбиди асосида яратилган Шотки барьерли диодли структураларнинг электрофизик хусусиятларига ўта юқори частотали нурланишларининг таъсири бўйича олиб борилган ишларнинг натижалари баѐн этилган. РЕЗЮМЕ. В данной статье представлены результаты исследования по влиянию сверхвысокочастотных излучений на элек- трофизические свойства диодных структур с барьером Шоттки на основе карбида кремния. SUMMARY. In this article were presented results of investigations of high frequency influence treatment on electrophysical proper- ties of diode structures with Schottky barrier based on silicon carbide. |